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A G 4.0 dendrimer-like poly (amido amine) (PAMAM) based on silica nanoparticles was fabricated via a divergent approach.It was built from γ-aminopropyi silica nanoparfides (APSN) core via repetitive addition of acrylate (MA) and hexylenediamine (HDA). FT-IR and EA were used to monitor the progress of dendrimer during each step. The amino group content of the resulting product increased from 0.49 to 3.72 mmol/g after the 4th generation. In addition, the percentage of grafting increased with increasing generation and reached to 65.9% after 4th generation. It was found that the resulting silica nanoparticles could be dispersed in methanol with a mean hydrodynamic particle diameter of 152.7 nm although the silica nanoparticles had agglomerated during the storage period. 相似文献
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很多年来,那些具有与玻璃板同样阻挡性能的薄、透明、柔性基板材料一直是显示工业所青睐的材料。柔性显示器比其他显示器具有更多的潜在优点,如薄而轻、耐用并具有非线性形状系数等。这些特性使柔性显示器深受各种电子产品,从手机和PDA到计算机、玩具、电子图书等的欢迎。正因为柔性显示器具有如此广阔的市场前景,世界各地许多主要电子产品、塑料产品和印刷行业公司纷纷投巨资开发研究聚合物、金属箔和非加热式加工处理技术,联合开发消费性和军用柔性液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器,并最终实现大批量生产。 相似文献
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微电子机械系统技术与蓬勃发展的光纤通信 总被引:1,自引:0,他引:1
硅微机械技术是一种新兴技术,它几乎影响着每一个科学技术领域,如汽车、移动通信、航天、化学以及光波系统。目前许多工业领域期待选用微/纳电子机械系统来解决技术上的问题。概括地说,是用标准的集成电路技术实现的。用硅晶片作基底沉积多层膜系,如氮化物、多晶硅、氧化物和各种金属膜系,用制造集成电路的方法可以制造复杂的三维结构。然而,这种结构并不是集成电路,还要通过蚀刻去氧化物释放器件以生产出能运动的结构。在制作工艺上做细微的改变就能生产可运动的器件,诸如旋转齿轮、铰链、平台和柔性梁以及各种类型的电机。在光纤通信应用方面,微电子机械系统(MEMS)技术可制作各种组件,如数据调制器,可变襄减器、光开关、主动均衡器、插/分复用器、光学连接器、色散补偿器、全光开关、可调谐激光光源,有源元件和自适应光学元件。本文描述了用现有的标准制造设备制作出的光通信用的各种微电子机械光学元件。 相似文献
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Peter Singer 《集成电路应用》2007,(3):38-38
Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个 相似文献
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Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature
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Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献
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