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硅光电负阻器件的构成原理与分类 总被引:1,自引:0,他引:1
郭维廉 《固体电子学研究与进展》2002,22(1):120-126
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法 相似文献
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研究了聚乙烯醇侧链液晶主链分子量和液晶基元等结构因素对其液晶性的影响,结果表明随着聚合物的分子量增加,导致复合物清亮点温度下降。但是在液晶主链尚未被液晶基元饱和之前,随着液晶基元相对主链摩尔比的增加,样品形成较为完善的氢键结构。 相似文献
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4 覆铜板用高性能铜箔 覆铜板一般是由树脂基体、增强材料、铜箔三大部分材料复合而成的。其中铜箔材料对覆铜板特性起到十分至关重要的作用。近年来,各种电子信息产品技术得到高速发展,也对PCB提出更高要求。特别是通过精细线路、微孔的高密度层间连接,以达到高可靠性。PCB对基板材料的要求,促进了铜箔材料特性及品质的提高。同时,铜箔材料在许多特性上的进步,也配合了覆铜板制造技术及性能的提升。 相似文献
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Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1
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Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献
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