硅基红外信平面阵列技术的新进展（Ⅱ）

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）

国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度，高的可动性和两性电活性而难于控制，所以，对于过渡元素的研究...     

一维纳米固体的电子结构

本文通过计算一维纳米固体模型的电子态密度,针对颗粒大小、颗粒界面无序度等物理量,讨论了一维纳米固体的电子结构。结果表明颗粒大小对电子能态结构影响较大,而颗粒界面无序度主要引起能带宽度和态密度大小的变化。 关键词：     

新型结构的1.3μmGexSi1—x／SiMQW波导探测器的优化设计

本首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ波导探测器结构，器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成，器件的输入端是８μｍ宽的波导，这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率，对于器件的材料结构，电学和光学特性进行了仔细的分析与设计，结果表明，优化设计的器件其外量子效率可达２８％，比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高２－３倍，而上升下降时间仍然保持     

硅传感器使机械传感器相形见绌

硅传感器使机械传感器相形见绌在大批量汽车市场的强劲需求推动下，传感器已从昨天的笨重机械结构发展成用传统半导体加工技术制作的集成智能器件。由于这种器件能确保安全面可靠的运作，因而基于硅的传感器不仅广泛应用于汽车领域而且也用于实验室和医疗仪器、过程控制系...     

硅微电子技术的极限研究与潜力开拓

本文在讨论硅微电子技术发展限制基础上，提出了一个在今后３０年内应该引起高度重视的“复合功能电子学”的概念，内容及其实例。     

纳米技术的研究现状与将来

纳米科学技术将成为２１世纪最重要的高技术之一。纳米技术的最终目标是直接操纵单个原子和分子，制造量子功能器件，从而开拓人类崭新的生产生活模式。文章评述利用电子束、离子束的精细技术和ＳＴＭ原子操纵技术的研究现状，介绍原子层蚀刻，单层抗蚀剂自形成蚀刻，纳米自然蚀刻和电子束全息纳米蚀刻等高技术前沿动态，展望纳米技术的发展前景。     

采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器

简述了单昌硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术，采用ｐｎ结自终止电化学腐蚀技术得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明：１ｋＨｚ时灵敏度为－５８．４ｄＢ／Ｐａ。     

纳米晶软磁合金中的结构对技术磁性的影响——Ⅱ.磁弹耦合作用

对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.