硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。     

从锁模脉冲序列中先后选出两个单脉冲的同步研究

采用再生放大腔内的短程放大,利用硅光导开关的长的复合时间,实现光导后产生快上升和下降时间、宽度可调的千伏电脉冲,完成从锁模脉冲序列中先后选出两个单脉冲,这两个单脉冲同步精度高、运转稳定。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

纳米WO3的制备及其光解水析氧性能研究

用溶胶凝胶法,灼烧法合成了纳米级WO3,采用X-射线衍射、紫外可见漫反射光谱对WO3进行表征.在Fe3 为电子受体、溶液酸度pH为2.0情况下,研究了纳米级WO3在365nm紫外辐射下光解水析氧的光催化活性,并讨论了不同方法制备的催化剂活性差异的原因.结果表明,结晶程度越高、尺寸越小、比表面积越大的纳米级WO3具有更高的光分解水析氧活性,电子受体的浓度、溶液的酸度对析氧活性有明显的影响.     

利用喇曼光谱测量氧碘化学激光器氯气利用率的实验研究

 介绍了利用自发喇曼散射光谱测量氧碘化学激光器单态氧发生器氯气利用率的原理及实验装置，并给出了在以氮气作为稀释气的0.1mol/s射流式氧发生器上测试的结果，测试相对误差小于12%。由于该方法只需要通过测量喇曼谱线相对强度之比，即可算出氯的利用率，因此不需要另外的标定实验，从而避免了因标定带来的影响。该方法减小了测试误差，简化了实验过程，提高了测试效率。     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

RBaCo_2O_(5 δ)(Pr,Sm,Y)体系的滞弹性内耗研究

本文对双钙钛矿结构RBaCo2O5 δ(Pr,Sm,Y)化合物进行了内耗研究。随稀土元素R的不同该材料体系存在着不同的晶体结构,并导致了氧缺陷不同的驰豫行为。体系内耗谱图中呈现的一个驰豫型内耗峰被认为是由于[ROδ]层中额外氧的运动引起的。SmBaCo2O5 δ体系中在360 K附近还观察到一个相变型内耗峰,它伴随有模量的变化。     

掺Eu3+硅基材料的发光性质

通过溶胶－凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱，结果显示，最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm；在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱，产生4条谱带，分别是577nm(^5D0-^7F0)，588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。