硅外延中自稀释现象的研究

本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法.     

在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT

本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．     

SOI新结构——SOI研究的新方向

SOI（silicon-on-insulator：绝缘体上单晶硅薄膜）技术已取得了突破性的进展，但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件／电路的要求，探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM，GPSOI，GeSiOI，SionAlN，SiCOI，GeSiOI，SSOI等。文章将结合作者的部分工作，报道SOI新结构研究的新动向及其应用。     

多孔硅：从发光到发光二极管

硅显微电子革命的核心所在。它比起其它半导体来，其优势完全依赖于其优良的材料和加工性能，以及围绕它发展起来的巨大技术基础。其它半导体不可能代替硅作为诸多电子应用中的所选材料。然而硅是一种效率特低的发光材料，为此，它在诸多光学应用中并不具有同等的优势。很久以来人们就认识到发展一种把光学器件和电子器件既方便而又便宜地集成在一块硅片上的技术的重要性。此类进展会对显示、通讯、计算机和许多相关技术产生重大影响。事实上，把光电子集成在硅片上已经取得一些成功。例如，已能用硅制成高质量光探测器，此外，硅电荷耦合器…     

LCOS显示芯片设计

详细地讨论了LCOS显示技术原理;介绍了LCOS芯片的设计、制造技术.     

GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵向分布与注入态ＳＩＭＳ结果相同，可以获得近０．２μｍ的ＧａＡｓ有源层。而注入分子离子ＳｉＦ＾＋样品，虽注入层较浅，但灯光退火后，电激活率很低。因此，用     

火焰原子吸收法测定硅酸盐中铁钙镁

研究火焰原子吸收法测定硅基体中铁、钙、镁时，硅对待测元素吸收信号的干扰及表面活性剂对硅干扰的抑制作用。以十六烷基吡啶盐（ＣＰＣ）作干扰抑制剂，ＦＡＡＳ法测定硅酸盐中铁、钙、镁等元素，灵敏、简便、无干扰。合成样品中铁、钙、镁的回收率分别为９９．８％、１０１．３％和９８．３％。     

两步浸渍法制备发光多孔硅及NO2的作用

用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色多孔硅与阳极电化多孔硅特征一一对应,指出染色多孔硅的形成动力是中性NO₂的传递电子的催化作用,HNO_3的氧化和HF的氢化共同作用形成的化学染色多孔硅与阳极电化多孔硅具有相似的红外透射谱,分析了斑秃染色层的成因,认为染色多孔硅中有偏硅酸混合体的成分。