多孔硅/PVK复合体系的光电性能

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合,并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能.实验结果表明:热处理有利于复合体系发光强度的提高;而且当热处理温度不超过120℃,随着热处理温度的升高器件的整流效应增大.同时,复合体系还实现了电致发光,产生了555nm的电致发光峰.     

MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器

为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.     

利用ABS实现MEMS后处理中的电路保护

提出一种以丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)薄膜作为各向异性腐蚀溶液的掩模的薄膜保护方法。ABs胶以旋涂的方法涂布在硅片表面，然后经过一系列的处理工序以增强膜与衬底的粘附性。本文比较了在不同温度条件下AB8胶膜在KOH和TMAH溶液中的抗腐蚀特性。实验证明：在90℃、25wt%TMAH溶液中，ABS薄膜的掩模时间达到10h左右，而且这种薄膜的优点在于很容易用化学试剂加以去除。     

我国自行研制的硅基液晶光学引擎批量生产

我国自行研制的硅基液晶（LCOS）光学引擎，日前在中国兵器装备集团公司下属的河南中光学有限公司实现批量生产。此举将有力推动我国数字高清电视产业的发展。     

硅衬底上锗硅合金光波导设计及工艺的优化考虑

报道用射频加热化学气相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善，ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量Ｘ要满足脊形光波导是单模，光波导的数值，孔径接近单模光纤值，脊高小于临界厚度值等，计算表明兼顾上述三项要求应取ｘ＝１～３％，脊的高与宽受大断面及单模的制约。Ｓｉ的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡，为此起始脊宽取５～６μｍ为宜；腐蚀液，抛光液的选取人保证脊则壁及波导面端的优良镜     

FORWARD GATED—DIODE METHOD FOR EXTRACTING HOT—CARRIER—STRESS0INDUCED BACK INTERFACE TRAPS IN SOI／NMOSFETs

The forward gated-diode R-G current method for extracting the hot-carrier-stress-induced back interface traps in SOI/NMOSFET devices has been demonstrated in this letter. This easy and accurate experimental method directly gives the induced interface trap density from the measured R-G current peak of the gated-diode architecture. An expected power law relationship between the induced back interface trap density and the accumulated stress time has been obtained.     

锗硅合金脊形光波导的优化分析与设计

根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验证。