Ge在Si上外延中表面再构的作用

本文综述了表面再构对Ge在Si上生长所起的作用。     

Si^＋注射热生长SiO2的光致发光激发谱与光电子能谱

ＳＩ＾＋注入的热生长ＳｉＯ２，未退火及１０００℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在４７０ｎｍ的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一位于２５０ｎｍ的窄峰，且谱形不信赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的ＳｉＯｘ；１０００℃以上退火样品的发发光谱为峰值在７３０ｎｍ的红光带，其激光发谱有一个２３０ｎｍ的窄，同时在５００ｎｍ附近还有一随退火处理不断红移和增强的宽带，光电子能谱表明退火使样品注入层分离     

气象检测微系统软件开发

介绍了由硅微传感器组成的自动气象站网络 ,并对整个网络的数据采集和数据处理的系统软件的实现做了详细的说明 ,而且从系统的硬件组成到系统软件的模块设计都作了介绍。本软件完成了从远程控制系统采集现场的气象数据 ,实现了一机对多机的数据采集功能 ,同时对数据丢失的原因做了初步探讨     

诱导效应指数与XSiRxH3—x的标准生成热

诱导效应指数与ＸＳｉＲｘＨ３－ｘ的标准生成热张秀利（河北轻化工学院基础部石家庄０５００１８）关键词诱导效应指数标准生成热键裂能烷基硅衍生物对于含硅有机物的标准生成热大多未见报导［１－２］，本文将利用诱导效应指数Ｉ［３，４］，作为参数，建立一套简单而准...     

应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型

应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.     

TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析

γ－ＴｉＡｌ中所观察到的位错主要有（１／２）〈１１０］普通位错，（１／２）〈１１２］和［０１１］超点阵位错。Ｋａｄ等研究了ＴｉＡｌ合金层状组织层片界面的位错结构［１］，表明由于非１８０°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界，其中一类...     

硅尖阵列二极管性能的研究

简述了真空微二极管的结构参数设计考虑、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同温度下的Ｆ－Ｎ曲线及湿法腐蚀制备硅尖的开貌。该微二极管转换电压为２伏左右，发射锥尖电流为５μＡ／锥尖。     

Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.