硅微结构中热和机械应力的模拟

在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热诱导应力和其它一些参数,这些参数精确地预言了薄膜淀积、键合和封装过程.本方讨论了以下几个难题:(a)不同的绝缘体在硅膜片中产生不同的应力,这是一个很重要的问题,因为用作压力传感器的膜片随着技术的进展正变得越来越薄(5μm或更少些).(b)在硅膜片和梁上制作的金属线图案引起的复杂热应力模式.而这些模式除了用有限元计算外,任何方法分析起来都是困难的.     

微显示器产业崛起

目前，微显示器产量每月都在飞速递增，由微显示器装配的产品也逐月增多。     

激光诱导硅表面化学镀镍

利用激光诱导化学镀技术,首次在硅片上沉积出金属镍。研究了沉积速率与各实验参量的关系,并对积沉斑的形状进行了分析和讨论。     

基于PEEC方法的片内螺旋电感建模

采用部分元等效电路方法，结合近似的三维闭式格林函数，在10GHz以下的频率范围提出了一种针对有耗硅衬底上螺旋电感的准静态建模新方法．该方法充分考虑了有耗的硅衬底、趋肤效应、接近效应等因素对螺旋电感电特性的影响，通过与全波分析方法对比，证明在相当宽的频率范围该方法是有效、可行的，可广泛应用于微波和射频硅集成电路的优化设计和仿真．     

一般切割面的铋硅族氧化物光折变增益特性及动态光栅优化

利用耦合张量对光折变旋光，电光，压电及弹光铋硅族氧化物晶体中光波本征模的作用，在任意晶体切割面上求解了弱耦合的矢量波耦合方程, 并利用有效耦合概念处理了非旋光晶体 中的矢量波耦合问题. 进而计算旋光和非旋光材料中信号光的增益, 并分别比较各向同性耦 合和各向异性耦合对增益的影响. 对旋光材料优化增益，并把处理结果应用于BSO和BTO晶体 . 还讨论了压电和弹光效应对(110)，(111)及(112)切割面优化增益的影响. 关键词： 铋硅族氧化物 光折变 旋光效应 压电 弹光效应     

Ge在Si上外延中表面再构的作用

本文综述了表面再构对Ge在Si上生长所起的作用。     

Si^＋注射热生长SiO2的光致发光激发谱与光电子能谱

ＳＩ＾＋注入的热生长ＳｉＯ２，未退火及１０００℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在４７０ｎｍ的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一位于２５０ｎｍ的窄峰，且谱形不信赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的ＳｉＯｘ；１０００℃以上退火样品的发发光谱为峰值在７３０ｎｍ的红光带，其激光发谱有一个２３０ｎｍ的窄，同时在５００ｎｍ附近还有一随退火处理不断红移和增强的宽带，光电子能谱表明退火使样品注入层分离     

气象检测微系统软件开发

介绍了由硅微传感器组成的自动气象站网络 ,并对整个网络的数据采集和数据处理的系统软件的实现做了详细的说明 ,而且从系统的硬件组成到系统软件的模块设计都作了介绍。本软件完成了从远程控制系统采集现场的气象数据 ,实现了一机对多机的数据采集功能 ,同时对数据丢失的原因做了初步探讨     

诱导效应指数与XSiRxH3—x的标准生成热

诱导效应指数与ＸＳｉＲｘＨ３－ｘ的标准生成热张秀利（河北轻化工学院基础部石家庄０５００１８）关键词诱导效应指数标准生成热键裂能烷基硅衍生物对于含硅有机物的标准生成热大多未见报导［１－２］，本文将利用诱导效应指数Ｉ［３，４］，作为参数，建立一套简单而准...     

应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型

应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.