可弯曲大画面低温多晶硅TFT—LCD

日本东芝公司研究开发了国际首创的在塑料衬底上 2 1.3ｃｍ(8.4ｉｎ)ＳＶＧＡ低温 ｐ ＳｉＴＦＴ ＬＣＤ产品。其产品特点是超薄型、超轻、可弯曲、高机械强度、高分辨率。该公司在工艺技术上成功地开发了低温多晶硅生长技术和在可弯曲基板上的液晶屏制造技术 ,将扩大ＴＦＴ ＬＣＤ的应用领域。可弯曲大画面低温多晶硅TFT-LCD     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

α-卤代萘与叔己酮碳负离子在Co(Ⅱ)络合物催化下的自由基链式亲核取代反应产物的薄层色谱定量分析

研究了以Co(Ⅱ)络合物为催化剂,α-卤代萘与叔己酮碳负离子的自由基链式亲核取代反应(SRN1)产物α-萘基叔己酮的薄层色谱扫描定量分析方法;定量分析的线性范围为0～4.4μg,平均回收率99%～101%,异板间相对标准偏差为2.3%,同板相对标准偏差为1.6%.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

掺Eu3+硅基材料的发光性质

通过溶胶－凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱，结果显示，最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm；在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱，产生4条谱带，分别是577nm(^5D0-^7F0)，588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。     

良紧性的特征与网式Alexander子基引理

紧性是拓扑学中最重要的概念之一.自从1968年C.L.Chang提出Fuzzy拓扑空间的概念以来,人们就试图将这一概念推广到Fuzzy拓扑学中,提出了各种Fuzzy紧性.相比之下,还是王国俊提出的良紧性有较多的优点,比较理想,从而很快获得人们的承认.对良紧性进行各种等价刻划,不论对良紧性本身的研究还是对后继工作都是很重要的.事实上,正是对良紧性的几何刻划导致了这种紧性在L-Fuzzy拓扑空间中的推广.本文中,我们将对L-Fuzzy拓扑空间中的良紧性给出几个等价刻划,在此基础上,我们建立了良紧性的所谓网式Alexander子基引理,从而更加简捷地证明了良紧性的Tychonoff定理而不借助良紧性的几何特征.     

聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究

综合使用核磁，VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究，分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明，近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析