首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12588篇
  免费   1948篇
  国内免费   5587篇
化学   7903篇
晶体学   214篇
力学   431篇
综合类   234篇
数学   825篇
物理学   3009篇
无线电   7507篇
  2024年   70篇
  2023年   327篇
  2022年   377篇
  2021年   388篇
  2020年   275篇
  2019年   349篇
  2018年   245篇
  2017年   337篇
  2016年   396篇
  2015年   488篇
  2014年   814篇
  2013年   687篇
  2012年   701篇
  2011年   767篇
  2010年   743篇
  2009年   879篇
  2008年   957篇
  2007年   851篇
  2006年   931篇
  2005年   972篇
  2004年   871篇
  2003年   907篇
  2002年   719篇
  2001年   663篇
  2000年   528篇
  1999年   541篇
  1998年   553篇
  1997年   520篇
  1996年   510篇
  1995年   521篇
  1994年   451篇
  1993年   369篇
  1992年   316篇
  1991年   313篇
  1990年   287篇
  1989年   294篇
  1988年   87篇
  1987年   28篇
  1986年   37篇
  1985年   20篇
  1984年   13篇
  1983年   5篇
  1982年   5篇
  1981年   4篇
  1980年   4篇
  1979年   1篇
  1973年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
122.
Fwng  CD 袁jing 《电子器件》1991,14(1):60-62
湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都  相似文献   
123.
124.
《中国物理快报》2002,19(7):1013-1015
By using n-butylamine as a carbon resource,carbon film is deposited on the p-n porous silicon (PS) surface with a radio-frequency glow discharge plasma system.Raman spectra and infrared reflection (IR) spectra of the carbon films indicate that there are amine-group and hydrogen atoms therein.The IR spectra of the passivated PS samples exhibit that the PS surfaces are mainly covered with Si-C,Si-N and Si-O bonds.Electroluminescence (EL) spectra show that the EL intensity of the passivated PS diodes increases greatly and the blueshift of the EL peak occurs compared with the diodes without treatment.Both of these are stable while the passivated diodes are exposed to the air indoors.The I-V characteristics reveal that the passivated diodes have a smaller series resistance and a lower onset voltage.The influence of the carbon film passivation on EL properties of PS has also been discussed.The results have proven that carbon film passivation is a good way to enhance the PS luminescent intensity and stability.  相似文献   
125.
A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions.  相似文献   
126.
Two new D-x-A type compounds,where electron-donor D is tertiary amino group,electron-acceptor A is 2-benzothiazolyl and x is two conjugated styryl units,have been synthesized.They are named as trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diethylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole and trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diphenylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole.Both compounds show strong two-photon excited fluorescence in yellow-orange region when excited by a femtosecond laser at 800nm.  相似文献   
127.
The cyclomercurated ferrocenylimines containing heterocyclic ring were prepared by the condensation of cyclomercuration of acylferrocene with the appropriate heterocyclic amine.This procedure provides an efficient method for the synthesis of cyclomerucurated ferrocenylimines containing heterocyclic ring which are difficultly synthesized by the conventional method.The reaction mechanism is proposed.  相似文献   
128.
129.
130.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号