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991.
The performance of a double sided silicon strip detector (DSSSD), which is used for the position and energy detection of heavy ions, is reported. The analysis shows that although the incomplete charge collection (ICC) and charge sharing (CS) effects of the DSSSD give rise to a loss of energy resolution, the position information is recorded without ambiguity. Representations of ICC/CS events in the energy spectra are shown and their origins are confirmed by correlation analysis of the spectra from both the junction side and ohmic side of the DSSSD. 相似文献
992.
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量r具有不同单晶硅薄膜厚度的绝缘衬底上硅(SOI)皮秒瞬态反射率变化,并通过基于受激载流子密度和温度变化过程建立的反射率模型讨论了SOI表面载流子的超快动力学过程.研究表明,表面复合速度(SRV)是影响载流子动力学响应的主要因素,且薄膜厚度越小表面复合速度就越大,对应的表面态密度可达到1013cm-2 .对于较小的SRV,受激载流子的超快响应决定了瞬念反射率变化;而对于较大的SRV,晶格温升对瞬态反射率变化的贞献变得显著,使得反射率在更短的时间内恢复并超过初始值. 相似文献
993.
差分吸收激光雷达测量臭氧浓度过程中,云层信号会造成对流层臭氧浓度剧烈的抖动,带来了很大的测量误差.本文提出了一种云消除算法,该算法通过插值云层高度区域内的臭氧浓度,有效消除了对流层臭氧浓度的剧烈抖动.通过阐述其理论基础,给出了其算法关键点,即云信号的识别和云高度的精确定位.根据云层消光系数的特点,通过设定气溶胶消光系数阈值获取云层高度信息,利用累加平均有效减少噪音造成的测量误差.结果表明,在精确确定云高、云底的基础上,运用线性插值算法对臭氧测量结果进行修正,可以有效克服云层对测量结果造成的急剧起伏. 相似文献
994.
对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。 相似文献
995.
硅基器件一般是敏感波长最长达1200nm的光的.如果红外辐射被允许进入列阵,那么该列阵便会对红外辐射产生响应,从而产生一个输出图像信号。由于成像系统的一个目的是产生可见光图像,红外辐射的引入便会使其产生的图像发生失真。 相似文献
996.
美国《Laser Focus World》杂志报道,普通的硅光电二极管对1330nm和1550nm电信波长是不响应的。然而,美国哈佛大学研究人员开发的一种硅微结构加工工艺已使他们制备出了能够响应这些波长的Si光电二极管。 相似文献
997.
998.
OLED背光源技术研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角。介绍了OLED背光源关键技术的最新进展,分别阐述了白光OLED发光效率的提升,OLED器件稳定性和寿命的提高,OLED制备的最新工艺,偏极化的OLED技术,OLED背光源与液晶显示面板匹配技术,还介绍OLED背光源产业发展及发展现状,并对OLED背光源技术的发展趋势进行了展望。 相似文献
999.
1000.