Indentation Load Effect on Young＇s Modulus and Hardness of Porous Sialon Ceramic by Depth Sensing Indentation Tests

Depth sensing indentation （DSI） tests at the range of 200-1800mN are performed on porous sialon ceramic to determine the indentation load on Young＇s modulus and hardness values. The Young modulus and hardness （Dynamic and Martens） values are deduced by analysing the unloading segments of the DSI test load-displacement curves using the Oliver-Pharr method. It is found that Young＇s modulus ET, the dynamic hardness HD and the Martens hardness HM exhibit significant indentation load dependences. The values of Young＇s modulus and hardness decrease with the increasing indentation load, as a result of indentation load effect. The experimental hf /hm ratios lower than the critical value 0.7, with hm being the maximum penetration depth during loading and hf the final unloading depth, indicate that our sample shows the work hardening behaviour.     

带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究

通过器件模拟并结合实验结果,在已有PIN(Positive intrinsic negative)和DPD(Double photo-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(STI)准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。     

创新节能型调谐器IC助推移动数字电视发展

OmniVia TUS9090是一款包含数字射频调谐器和DVB—H／T解调器的全集成式系统级芯片，它集成了射频硅调谐器、DVB—H／T解调器和片上内存，可支持多种视频业务的接收。在10％负载循环的时间分片模式下，OmniVia TUS9090可在低于50微毫瓦的功率条件下运行，因而具备很高的功率效率。TUS9090采用130nm CMOS射频工艺制造而成。     

战胜CMOS Scaling的研究挑战:半导体业发展方向

不论是过去、现在还是未来,系统需求的增长都推动着硅半导体技术的发展。过去的40年中,如摩尔定律[1]所描述,晶体管在CMOSScaling理论[2]的引导下,密度和性能方面持续化和系统化增长,从而成为硅半导体技术进步中的一个极为成功的工艺技术。当半导体行业演进到45纳米节点或更小尺寸的时候,硅CMOS器件的Scaling将引发巨大的技术挑战。其中两大挑战是不断增长的静态功耗和不断增长的器件特性的不一致性(variability)。这些问题来源于CMOS工艺快要到达原子理论和量子力学所决定的物理极限。它们常常被作为摩尔定律将被“打破”或是CMOSScaling行将终止的论据。为了解决这些挑战,业界提出了以下3种主要方法:通过材料和器件架构的创新来扩展硅的Scal-ing;通过由硅通孔组成的三维结构来提高集成度和使用芯片堆叠技术增强功能和并行性;探究后硅时代CMOS的创新,这涵盖基于迥然不同的物理规律、新材料和新工艺的全新纳米器件,比如自旋电子学、碳纳米管、纳米线缆和分子结构。     

高性能荧光三色（红、绿、蓝）有机发光二级管

我们开发了用于全彩色OLED的高效荧光添加剂。对于蓝色、绿色和红色的OLED来说，在10mA／cm^2时分别实现了8．7cd／A，20．5cd／A和11．4cd／A的电流效能。蓝色器件在1，000cd／mz的起始亮度时，寿命估计为23，000个小时。此外，绿色和红色器件的寿命估计长达100，000小时。通过使用这些添加剂，我们期望在一个300cd／m^2的白光中能够实现一个寿命为18，000小时的全彩色OLED显示器。     

Behaviour of Ti Based on Si （111） Substrate at High Temperature in Oxygen

The behavior of Ti based on Si（lll） in oxygen under high temperatures（700 ℃, 800 ℃ , 900 ℃ , I 000 ℃ and 1 100℃） is reported. X-ray diffraction（XRD） and Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR） are used to analyze the structure and composition of the samples annealing at different temperatures in oxygen ambience. It is found that raising temperature is helpful to the formation of both TiSi2 and TiO2 and helpful to the diffusion of Ti to Si substrate.     

非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究

以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜.实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50%,60%,70%三个多孔硅样品的微观形貌.利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50%,60%,70%的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917,0.928和0.13 GPa,杨氏模量分别为31.087,16.921和2.285 GPa,而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919 GPa和193.792 GPa,并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响,为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数.     

供应商报道

AIXTRON：立足MOCVD，积极拓展硅半导体市场；Asymtek：底部填充技术助力高密度封装；     

国际新闻

硅晶圆出货量Q3放缓，同比增长5%；ASML：2012年光刻市场达到144亿美元；北美半导体设备市场9月订单出货比下降至0.81；TEL参与SEMATECH的3D互连项目；三洋电机称半导体事业将不出售或转让；     

平板显示产业的发展现状和前景分析(液晶专题)

近年来，平板显示技术，尤其是液晶显示与等离子显示技术，在我国得到突飞猛进的发展，对我国显示产业从传统显示器向平板显示器的转型具有重要意义。本文从平板显示技术的基本概念、分类和产业链结构出发，结合近年来全球平板显示产业发展的背景，分析了我国平板显示产业的发展现状和趋势，并就深圳市平板显示产业的发展策略提出了建议。