硅传感器使机械传感器相形见绌

硅传感器使机械传感器相形见绌在大批量汽车市场的强劲需求推动下，传感器已从昨天的笨重机械结构发展成用传统半导体加工技术制作的集成智能器件。由于这种器件能确保安全面可靠的运作，因而基于硅的传感器不仅广泛应用于汽车领域而且也用于实验室和医疗仪器、过程控制系...     

硅微电子技术的极限研究与潜力开拓

本文在讨论硅微电子技术发展限制基础上，提出了一个在今后３０年内应该引起高度重视的“复合功能电子学”的概念，内容及其实例。     

采用电化学自终止腐蚀制造硅传声器

简述了单昌硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术，采用ｐｎ结自终止电化学腐蚀技术得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明：１ｋＨｚ时灵敏度为－５８．４ｄＢ／Ｐａ。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

用激光从硅表面剥离氢原子

美国一研究小组实现了科学家们长期以来的目标：利用激光破坏某些分子的化学键。他们利用激光代替加热的方法将氢原子从硅表面剥离开来，这是计算机芯片和太阳能电池制造过程中的一个关键步骤。     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

可见光共振腔发光二极管的研究进展

共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性，并展望了这种器件的发展前景。     

硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试

封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试，得出实物测试场发射电流曲线（开启电压低，发射电流曲线与计算机模拟曲线一样，电压45V时发射电流可达到86mA，平均每个硅尖为21μA）、压力特性曲线（呈线性变化，与计算机模拟计算的曲线相近）及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化，灵敏度为0.3μA/kPa。