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一、什么是场致发光显示屏?场致发光是在电场的作用下,直接将电能转换为光能的发光现象。实现这种发光的材料很多。利用这种材料制成的场致显示屏,将不需要真空,成为全固体化的发光器件,而且是平板显示器件。这种平板场致发光显示屏,按激发电源不同,有交流和直流两种。场致发光器是本世纪30年代发明的。到目前为止,已经发展了三代。第一代是粉末场致发光器;第二代是夹层结构单色场致发光器,其发明人是日本的猪口敏夫;第三代是分层优化彩色薄膜场致发光器,其发明人是徐叙容教授。因为它是显示器中主动发光的后起之秀,目前世界… 相似文献
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本文综述我们对电脑气体选择性激发产生变色发光的理论研究和实验研究,并探讨这种类型变色发光的实际应用。 相似文献
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1μm宽硅深槽刻蚀技术 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。 相似文献
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GaP:(N)的背景光谱和发光尖峰 总被引:1,自引:0,他引:1
获得高分辨GaP(N)光致发光光谱,观察到等电子陷陆束缚激子发光中LO和loc多声子发射,其强度分布答合泊松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论,还观察到局域声子效应--光谱相似定律和相当显著的背景光谱。 相似文献
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用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
关键词: 相似文献
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