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设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的InGaAs雪崩光电二极管(APD)。器件直径为200μm,工作在21℃,1540nm波长时响应为0.64A/W,典型暗电流和噪声因子分别为30nA和6.5。介绍了该器件的工作原理,设计和制作工艺。 相似文献
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硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ) 总被引:2,自引:0,他引:2
主要介绍以硅为衬底的PbS,PbSe,PbTe,PbSnSe,HgCdTe,InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
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国外硅单晶质量研究进展(续Ⅰ)王旗(高工),陈振,浦树德,杨晴初(西南技术物理所,成都610041)3硅金属及其它杂质3.1过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度,高的可动性和两性电活性而难于控制,所以,对于过渡元素的研究... 相似文献
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新型结构的1.3μmGexSi1—x/SiMQW波导探测器的优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本首次提出了一种新型的环形GexSi1-x/Si波导探测器结构,器件的主体由3μm宽的环形波导构成,器件的输入端是8μm宽的波导,这两部分通过劈形波导过渡连接,各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率,对于器件的材料结构,电学和光学特性进行了仔细的分析与设计,结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2-3倍,而上升下降时间仍然保持 相似文献
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本文在讨论硅微电子技术发展限制基础上,提出了一个在今后30年内应该引起高度重视的“复合功能电子学”的概念,内容及其实例。 相似文献
88.
简述了单昌硅压阻式传声器的结构参数设计和工艺制造技术,采用pn结自终止电化学腐蚀技术得薄且平整性较好的振膜。测试结果表明:1kHz时灵敏度为-58.4dB/Pa。 相似文献
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引言
随着近年来数字处理电路电压的不断降低,电源功率密度的不断提高,对于电源次级整流的要求越来越高。整流器件已从最初的肖特基二极管整流,发展到用同步整流开关管替代二极管,以降低功耗。目前,控制同步整流开关管的方法主要有分立式和基于锁相环的控制芯片两种。用分立元件实现同步整流的缺点是响应过慢,系统可靠性相对差。单芯片同步整流是基于锁相环技术的,从初级取信号同步控制次级整流开关管,这种方法的缺点是不能保证在间隔模式(轻载或空载时发生)下可靠操作。 相似文献
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本文介绍了SIMOVERT MV中压变频器在宣钢炼钢厂一次除尘风机中的应用情况。变频器现场运行表明,采用中压变频器对转炉除尘风机进行调速节能获得了成功,节能效果明显。 相似文献