全文获取类型
收费全文 | 9514篇 |
免费 | 2025篇 |
国内免费 | 2833篇 |
专业分类
化学 | 2417篇 |
晶体学 | 165篇 |
力学 | 104篇 |
综合类 | 80篇 |
数学 | 20篇 |
物理学 | 3063篇 |
无线电 | 8523篇 |
出版年
2024年 | 57篇 |
2023年 | 215篇 |
2022年 | 265篇 |
2021年 | 309篇 |
2020年 | 180篇 |
2019年 | 240篇 |
2018年 | 182篇 |
2017年 | 237篇 |
2016年 | 251篇 |
2015年 | 347篇 |
2014年 | 623篇 |
2013年 | 457篇 |
2012年 | 561篇 |
2011年 | 616篇 |
2010年 | 572篇 |
2009年 | 624篇 |
2008年 | 699篇 |
2007年 | 630篇 |
2006年 | 665篇 |
2005年 | 677篇 |
2004年 | 618篇 |
2003年 | 615篇 |
2002年 | 464篇 |
2001年 | 439篇 |
2000年 | 361篇 |
1999年 | 376篇 |
1998年 | 363篇 |
1997年 | 349篇 |
1996年 | 340篇 |
1995年 | 377篇 |
1994年 | 373篇 |
1993年 | 270篇 |
1992年 | 235篇 |
1991年 | 234篇 |
1990年 | 227篇 |
1989年 | 229篇 |
1988年 | 48篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
该产品采用气相掺氮技术,即氮气既作为保护气,又通过与硅熔体反应掺入熔体,是硅晶体中氮的来源,解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相(氮气)直接掺氮,操作简便,成本低廉,但需要用特殊方法精确控制掺入量。 相似文献
62.
GaryGoldberg 《中国电子商情》2004,(11):36-38
由于高功率二极管激光器近来成本不断降低,采用激光的选择性焊接在微型互连上的应用越来越广泛。 相似文献
63.
ZHOU Ming-Xiua② YANG Chuna DENG Xiao-Yana YU Wei-Feib LI Jin-Shanb a 《结构化学》2006,25(6):647-652
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S… 相似文献
64.
随着TFT显示技术的发展,TFT产品迅速进入商品化阶段。由TFT技术产生的衍生品,如TFT Monitor,TFT TV已在不少领域代替传统CRT产品。TFT产品主电源要求一般有以下几种:+5V/2.3A(15英寸)2.7A(17英寸),辅电源要求为+3.3V/800mA,+2.5V/400mA,背光部分输出功率为8~12W,TV turner要求为+5V/80mA。因为背光冷阴极驱动,故启动电压要求达1.3kV以上,灯管点亮后维持电压在450V左右。一般Monitor的输入电源往往采用12V Adapter,且因TFT产品往往外形轻便,厚度较薄,要求供电部分产生的热量要少(效率要高),体积要小,故TFT Monitor/TV的供电要求有其一定的特殊性,需要有针对该要求的供电方案。 相似文献
65.
硅表面上的纳米量子点的自组织生长 总被引:1,自引:1,他引:0
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景 相似文献
66.
把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子. 相似文献
67.
68.
本刊上期曾报道了对非二极管激光器市场的调查,这一部分则是对二极管激光器市场的调查报道。1.概述二极管激光器(即半导体激光器)是一种应用广泛的技术,20世纪80年代音频CD机的出现使其首次得到重用。自此以后,其应用领域不断扩大。包括CD—ROM驱动器、激光印字机、可擦写光盘驱动器、条码扫描仪、光纤通讯等。 相似文献
69.
70.