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用2W爽线输出功率的氩离子激光器照射Sm^+2/Sm^+3掺杂铝硅基玻璃光纤能产生0.0051%的永久性折射率变化,通过测量LP11模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性,同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带,钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Sm^+2离子消感应吸收过程所致。 相似文献
132.
A Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Mirror with Silicon on Insulator for Wavelength 1.3μm 下载免费PDF全文
A concrete two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice used as a mirror for the light at wavelength 1.3μm with a silicon-on-insulator (SOI) substrate is designed by the three-dimensional plane wave expansion method. For TE-like modes, the bandgap in the Г-K direction is from 1087nm to 1559nm. The central wavelength in the bandgap is about 1.3μm, hence the incident light at wavelength 1.3μm will be strongly reflected. Experimentally, such a photonic crystal slab is fabricated on an SOI substrate by the combination of EBL and ICP etching. The measurement of its transmission characteristics shows the bandgap edge in a longer wavelength is about 1540 nm. The little discrepancy between the experimental data and the theoretical values is mainly due to the size discrepancy of the fabricated air holes. 相似文献
133.
用高温气-固相置换法对ZK-4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明,3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。 相似文献
134.
135.
Modulation Frequency Multiplexed Tunable Diode Laser Spectroscopy System for Simultaneous CO, CO2 Measurements 下载免费PDF全文
A modulation frequency multiplexed dual diode-laser system is developed for simultaneous detection of the two most common fire gas products CO and CO2. Simultaneous detection is achieved by modulating each laser at different frequencies, demodulating the signal by a pair of lock-in amplifiers for each gas. Laser beams are combined and detected by one detector after passing through an identical optical path. The experimental results show little performance degradation associated with modulation frequency multiplexing, and no cross-talk between the two multiplexed detection channels is measured. 相似文献
136.
137.
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。 相似文献
138.
139.
二极管激光器市场在经过2年由快速增长变为适度增长之后,2005年的销售额达到了32.3亿美元,与2004年32亿美元的销售额基本持平,但仍占整个商品激光器销售总额的59%(参见图1).虽然二极管激光器在几个应用领域都出现了销售额增长的局面,如通信和各种大功率激光器的应用,但光存储用二极管激光器的年销售额却有所下降,这部分市场占二极管激光器市场份额的54%. 相似文献
140.
势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布 总被引:2,自引:1,他引:1
在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响. 相似文献