硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备

研究了采用单靶控溅射在Ｓｉ（１００）衬底上生长ＹＳＺ（钇稳定的ＺｒＯ２）ＢＳＣＣＯ（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件,包括生长温度,生长气氛,生长速率及氧化退化等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系,并获得了超导膜临界温度为８２Ｋ的ＢＳＣＣＯ／ＹＳＺ／Ｓｉ兼容材料。     

一种数字化中频接收机的研究与实现

概述了软件无线电的发展和应用,为满足雷达中频接收机的数字化要求,介绍了C频段微波统一测控系统中应用软件无线电思想设计数字化中频接收机的方案,对其基本原理和实现的关键技术做了分析,最后给出了应用FPGA和DSP等器件实现该接收机的具体方法。整个系统集成度高,可靠性好,使用灵活,已在多个某型C频段统一测控系统中得到了应用。     

新型硅芯晶体炉的开发与设计

从分析硅芯晶体生长的工艺特点出发,简要介绍了硅芯晶体生长设备的设计思想以及新近开发设计的新型硅芯晶体炉的机械结构及电气控制系统。     

抛物线型势阱二维电子气能级的解析解

从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了能级E的解析表达式。该式能够非常简单地确定出抛物线型势阱中的能级,而不需要数值求解薛定谔方程。     

无线通信技术在海上风电工程中的应用

针对海上风电基建期和运维期对通信的差异化需求,分析了卫星、4G/5G、微波通信的技术特点,提出了一种微波与4G技术融合组网的无线通信方案.在基建期利用微波通信技术传输监控信息,利用船载4G和微波技术传输话务信息,在运维期利用4G和微波技术传输监控、话务信息.最后分别对基建期和运维期方案所需的设备及服务进行了系统配置,不...     

MEMS THz滤波器的制作工艺

基于MEMS技术制作了太赫兹(THz)滤波器样品,研究了制作滤波器的工艺流程方案,其关键工艺技术包括硅深槽刻蚀技术、深槽结构的表面金属化技术、阳极键合和金-硅共晶键合技术。采用4μm的热氧化硅层作刻蚀掩膜,成功完成了800μm的深槽硅干法刻蚀;采用基片倾斜放置、多次离子束溅射和电镀加厚的方法完成了深槽结构的表面金属化,内部金属层厚度为3~5μm;用硅-玻璃阳极键合技术和金-硅共晶键合技术实现了三层结构、四面封闭的波导滤波器样品加工。测试结果表明,研制的滤波器样品中心频率138GHz,带宽15GHz,插损小于3dB。     

七(2,3-二-O-乙酰基-6-O-叔丁基二甲基硅烷基)-β-环糊精毛细管色谱柱的研制及色谱性能

合成了七（2,3-二-O-乙酰基-6-O-叔丁基二甲基硅烷基）-β-环糊精,并采用静态法成功地将其涂渍到弹性石英毛细管柱上。研究了其气相色谱分离性能,发现此固定相涂渍性好,柱效较高,热稳定性好,对卤代芳烃异构体以及难分离的二取代苯的位置异构体具有良好的分离能力。     

n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.     

拉曼-纳斯衍射声光Q开关的实验研究

实验研究了拉曼-纳斯(R-N)衍射的声光相瓦作用长度与声波光波参数之间的关系,确定了最佳声光相互作用长度.在此基础上,分别设计以水和TeO2晶体为声光介质的R-N衍射Q开关器件,测量了器件的衍射效率、衍射角和插入损耗等参数.应用TeO2晶体开关器件调制长脉冲Nd:YAG/KTP激光器,当重复频率为10 kHz时得到了脉...     

N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。