化学键合吸附剂的合成及吸附行为

在无定型硅胶上化学键合十八烷基三氯硅烷，键合率17%-20％，粒度5μm-10μm，以此键合的吸附剂可有效地吸附香烟烟气中的焦油、亚硝胺，吸附率分别为15%-18％和37%-43％，研究了化学键合吸附剂的粒度和加入量对吸附性能的影响。     

三维无限伸展结构稀土配合物K3{[Sm(H2O)7]2Na-[α-SiW11O39Sm(H2O)4]2}·14H2O的合成、结构及性质研究

以Sm2O3,HClO4,NaOH和α-K8SiW11O39·nH2O等为原料合成了组成为K3{[Sm(H2O)7]2Na[α-SiW11O39Sm(H2O)4]2}·14H2O的三维无限伸展结构稀土配合物,并经IR,UV光谱,ICP原子发射光谱,TG-DTA,循环伏安,变温磁化率和X射线单晶衍射等分析手段进行了表征.X射线单晶衍射测定表明,该化合物属于三斜晶系,Pi空间群,晶胞参数:a=1.2462(3),b=1.2652(3),c=1.8420(4)nm,α=87.45(3),β=79.91(3),γ=82.57(3)°,Z=1,R1=0.0778,wR2=0.1610.结构分析结果显示,sm3+(1)配离子镶嵌在[α-SiW11O39]8-的空缺位置形成[α-SiW11O39Sm(H2O)4]5-亚单元,两个[α-SiW11O39Sm(H2O)4]5-亚单元通过两个Sm(1)-O-W桥互相连接形成标题化合物的二聚体结构单元[α-SiW11O39Sm(H2O)4]210-,相邻的二聚体结构单元又通过两个Sm3+(2)配离子和一个Na+(1)离子桥连成一维链状结构,链与链之间通过K+(1)离子连接成二维网状结构,网状结构又通过K+(2)离子构筑成新奇的三维无限伸展结构.TG-DTA结果表明,标题化合物阴离子骨架分解温度为554℃.循环伏安行为测试表明,标题化合物阴离子在pH=3.1的水溶液中存在两步氧化还原过程.变温磁化率结果表明,在较高温度(110～300 K)时,标题化合物磁性遵循居里-外斯定律,在较低温度(2～110 K)时,存在较强的反铁磁交换作用.     

基于外腔光谱合束的650 nm半导体激光器EI北大核心CSCD

高功率650~660 nm波段激光器在可见光光电对抗领域具有重要作用,目前该波段光源由固体激光器通过半导体激光器泵浦并倍频输出,输出功率高、光束质量近衍射极限,但转换效率低。半导体激光器的转换效率高,但输出功率低,需要通过增加激光单元的方法提升功率,并通过激光合束的方式提升光束质量。文中提出外腔光谱合束的650 nm波段半导体激光器结构,通过实验验证可实现连续功率为7.3 W、光谱线宽为6.45 nm、电光转换效率为23.4%的650 nm波段激光输出,光束质量为M_(X)^(2)=1.95,M_(Y)^(2)=11.11,接近固体激光器,未来通过增加合束的激光单元数量并结合偏振合束可以获得更高功率的650 nm波段激光。     

μ-O-二[(全甲基多硅撑)二环戊二烯基氯络锆]的合成与结构

将α,ω-二氯全甲基多硅烷相继与环戊二烯基钠、正丁基锂及四氯化锆作用,生成的全甲基多硅撑桥连二环戊二烯基二氯化锆(Me_2Si)_n(C_5H_4)_2 ZrCl_2(n=2,3)在碱性条件下被水解,生成标题化合物[(Me_2Si)_n(C_5H_4)ZrCl]_2O.用元素分析、~1HNMR和质谱表征了其结构,进而对两个化合物的单晶进行X射线结构分析,确证其分子结构.n=2的晶体属P2_1/C空间群,晶胞参数a=14.268(4),b=7.812(1),c=31.050(5)A;β=99.59°;Z=4.最终偏差因子R=0.039.n=3的晶体属C_2空间群,晶胞参数a=19.944(1),b=17.117(1),c=15.966(1)A;β=128.68°;Z=4.最终偏差因子R=0.033.最后讨论了硅桥对配合物分子结构及性质的影响.     

X射线荧光法测定氧化铁皮中硅锰磷

氧化铁皮是轧钢生产的一种产物，为了回收利用这些产物，其一般用于烧结矿生产、铁水的预处理和炼钢脱磷。氧化铁皮中的主要成分为铁、硅、磷、锰的氧化物和碳化物，直接用酸无法将其溶解。其分析方法一般均采用碱熔法分解样品，光度法测定硅、锰、磷的含量。该方法分析周期长，工作量大。本法用X射线荧光法测定氧化铁皮中硅、锰、磷，成本低、周期短、准确度高，完全能满足需要。     

Synthesis of new 1,3-bis（phenylethynyl）disilazanes

Three new 1,3-bis(phenylethynyl)disilazanes were synthesized from the reaction of 1,3-dichlorodisilazanes with (phenylethy- nyl)lithium,and characterized by infrared (IR) spectra,nuclear magnetic resonance (NMR) and mass spectrometry (MS).     

外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响研究

激光电化学刻蚀是将激光加工技术和电化学加工技术有机结合起来而形成的一种复合型刻蚀工艺。为了研究外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响,本文采用248nm KrF准分子激光作为光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极半导体n—Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,详细分析外加电压对刻蚀工艺的影响,并对其产生的原因进行了分析。试验结果表明其影响主要有两个方面：（1）正的外加电压保证了SiO2钝化膜生成,从而实现了选择性刻蚀;（2）外加电压的增大,刻蚀速率会相应减小。因而外加电压也是调节刻蚀速率的一个重要的手段。     

数字高清电视制作中色键器的应用

随着电视技术的发展,对于虚拟技术的运用越来越广,这就对节目中画面的调像提出了更高的技术要求。而色键器作为关键的技术设备,在抠像、调像过程中起着举足轻重的作用。正是基于其先进的图像处理技术、合理的算法以及多功能的可靠性,使得前景与背景的结合更为精细和逼真。本文结合实际工作经验,讨论Ultimatte色键器在数字高清电视节目制作过程中视觉调像方面的应用。     

硅调谐变容二极管的特性

<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。