硫烷化学

硫烷是一类具有三中心四电子过价键的化合物，它即可以作为特殊的反应试剂，又是有机反应的重要中间体。本文对其结构，合成，性质及其应用作一简单综述。     

Sm^＋2／Sm^＋3掺杂铝基玻璃光纤的光敏特性研究

用２Ｗ爽线输出功率的氩离子激光器照射Ｓｍ＾＋２／Ｓｍ＾＋３掺杂铝硅基玻璃光纤能产生０．００５１％的永久性折射率变化，通过测量ＬＰ１１模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性，同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带，钐掺杂光纤光敏特征是由多光子增强的Ｓｍ＾＋２离子消感应吸收过程所致。     

合设接地系统在GSM移动基站中的应用

介绍分设接地方式的由来;指出合设接地方式增强了接地系统的可靠性。提出一种接地系统的组建方式并以几个移动基站工程建设的实例介绍这种方式。编者在编后语中参加了讨论     

硅／硅键合界面的正电子湮没分析

硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。     

确定SMT线路板的基材

用于指导线路板生产企业的规范文件常常缺乏重要信息，尽管通常也提供有关于印板成品的机械略图、层数、绝缘体厚度、可控的阻抗条件、焊料掩模涂层、表面镀层和标记的规格等详细信息，规范文件当然也注意到了基材，但却没有考虑其物理属性。对基材的最常见的描述就是被命名为FR-4的强化玻璃环氧合成物。     

分离孔径式红外扫描成像光学系统研究

军事上高的速高比(V/H)要求推动了研制适用于很高V/H值的分离孔径扫描器,该类型扫描系统可以进行战术侦查、空中监视以及特殊任务的执行,多数军用红外扫描系统现都采用分离孔径式设计.介绍了分离孔径式光学系统设计中的主要技术参数确定、布局形式和结构特点,并就工程实现过程中容易出现鬼像,冷反射及光路舍像等主要问题展开讨论.     

P—型多孔硅的拉曼光谱与结构特征

本文第一次在较宽的频率内研究了ｐ－型多孔硅的拉曼光谱，观察到并试探性的指认了多孔硅的一级ＴＡ、ＬＡ和二级ＬＡ、ＴＯ声子峰；从上述拉曼谱和多孔结构关系的初步分析中了解到，Ｐ－型多孔硅在结构是一种类似于纳米晶的硅材料。     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用