AlGaAs／AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征

设计并利用MOCVD在（311）GaAs衬底上生长了12．5个周期的Al0．6Ga0．4As／AlAs黄绿光分布式Bragg反射（DBR）体系，测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布，反射率90％以上，波长不均匀性在1．0％以下；利用了X射线双晶衍射对其进行结构表征，580nm波长DBR结构周期为84．5nm。     

航天InGaAs短波红外探测器步进应力加速寿命试验研究

随着航天应用InGaAs短波红外探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出。选择温度为加速应力,通过步进应力加速寿命试验方法对800×2双波段集成的InGaAs焦平面探测器进行了研究,获得了InGaAs焦平面模块失效机理保持不变的最大温度应力范围和失效模式,利用温度斜坡模型计算得到了样品的失效激活能,为进一步研究该器件的可靠性问题提供了依据。     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .     

硫化物钝化对InAs纳米线光学特性的影响

针对InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的InAs纳米线。对硫化物钝化前后的InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试。实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的InAs纳米线在25 K温度下的发光效率与未钝化的InAs纳米线相比分别提高了～6倍和～7倍,此外,可以在室温下探测到硫化铵钝化的InAs纳米线的光致发光,这为未来基于InAs纳米线的中红外纳米光子器件提供了可能性。     

高质量InAs单晶材料的制备及其性质

利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).     

用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.     

三硫化二砷纳米微球的扫描电镜观察和图像分析

砷制剂对肿瘤的治疗是当前医学界的研究热点，特别是对白血病的治疗为人们所关注。近年来，国内外学者在砷剂抗癌研究方面取得了可喜的成就，大量临床实践和基础研究已证明含砷类中药在肿瘤治疗方面有广阔的应用前景，但传统砷制剂的临床应用目前仍存在不少问题，如毒副作用大、颗粒偏大、生物利用度较低等。本研究采用化学合成法制备三硫化二砷（雌黄、As2S3）纳米微球，并对其相关特性进行扫描电镜观察、能谱和图像分析。     

Evaluation of the drain-source voltage effect on AIGaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance by the structure function method

The effect of drain-source voltage on A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance is studied by experimental measuring and simulation. The result shows that A1GaAs/InGaAs PHEMTs thermal resistance presents a downward trend under the same power dissipation when the drain-source voltage （VDs） is decreased. Moreover, the relatively low VDS and large drain-source current （IDs） result in a lower thermal resistance. The chip-level and package-level thermal resistance have been extracted by the structure function method. The simulation result indicated that the high electric field occurs at the gate contact where the temperature rise occurs. A relatively low VDS leads to a relatively low electric field, which leads to the decline of the thermal resistance.     

Far-infrared electroluminescence characteristics of an InGaP/InGaAs/Ge triple-junction solar cell under forward DC bias

The far-infrared electroluminescence characteristics of an InGaP/InGaAs/Ge solar cell are investigated under forward DC bias at room temperature in dark conditions. An electroluminescence viewgraph shows the clear device structures, and the electroluminescence intensity is shown to increases exponentially with bias voltage and linearly with bias current. The results can be interpreted using an equivalent circuit of a single ideal diode model for triple-junction solar cells. The good fit between the measured and calculated data proves the above conclusions. This work is of guiding significance for current solar cell testing and research.     

InAsSbBi和InSbBi:红外探测用的潜在材料元系

本文报导了三元合金InSb_(1-x)Bi_x(0.01相似文献