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31.
砷的生物地球化学   总被引:4,自引:0,他引:4  
地下水和饮用水中低剂量引起的环境健康问题在全球范围内受到广泛关注.本文从生物地球化学行为的角度综述了关于在环境中迁移转化方面的研究进展.首先介绍了在土壤、水体和大气等介质中的分布、形态以及在这些介质中的循环.然后阐述了环境水体中控制迁移的两个过程即:在土壤表面的吸附-解吸和沉淀-溶解过程,并详细讨论了在吸附-解吸过程中生物、物理和化学等因素的影响.  相似文献   
32.
砷的代谢机制、毒性和生物监测   总被引:6,自引:0,他引:6  
化合物是备受关注的一类污染物,特别是饮用水中的污染引发了全球性的健康问题.本文综述了近年来人们对的代谢机制、毒性和生物监测的研究进展.在生物体内的代谢过程十分复杂,在氧化还原酶和甲基转移酶的参与下,产生一系列的代谢产物和中间产物.其中,的原始摄入形态、代谢产物及中间产物由于不同的物理化学性质,体现了不同的毒性.人类和不同的动物由于不同的代谢机理和甲基化能力,也表现了对毒性抵抗能力的差异.在生物体内,一些化合物与生物蛋白相互作用,影响它们的存在形式、分布和传输,是的生物代谢和毒理研究中不可或缺的内容.生物监测是一种直接有效的污染物健康风险评估方法.在尿液、血液、唾液、头发和指甲中化合物直接反映了暴露主体的暴露程度,这5种生物介质作为暴露的生物标志物各有优缺点.在的研究中,代谢机制和毒性的研究可以帮助选择合适的生物监测方法,做出合理准确的健康风险评估.生物监测也可促进对的代谢机制和毒性的理解,推断可能的代谢途径,定量毒性剂量效应,两者相互依赖相互促进.  相似文献   
33.
34.
氢化物发生-原子荧光法测定中药中痕量砷   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用AFS-2202a型双道原子荧光分光光度计,采用高压溶样的消解方式,在选定的仪器工作条件下,建立了氢化物发生-原子荧光测定中药中痕量的测定方法。同时,研究了硼氢化钾浓度,光电管负高压,灯电流,载气流量,屏蔽气流量等因素对测定结果的影响。在选定实验条件下,以工作曲线法测定了三种中药样品中痕量含量,国家标准物质桃叶(GBW08501)验证结果与推荐值一致。的工作曲线在0~80.0 μg·L-1范围内线性良好,线性回归方程为If=8.99×c-1.16, 相关系数为0.999 9,检出限为0.069 μg·L-1。  相似文献   
35.
ICP-AES测定高砷铁矿中砷和钒   总被引:2,自引:0,他引:2  
建立了用硝酸-氢氟酸-高氯酸消解,ICP-AES测定铁矿中和钒的方法.该方法检出限为50mg/kg,钒为8mg/kg;相对标准偏差(RSD)为4.92%以下,钒为4.37%以下;加标回收率在95.3%-105.0%之间,钒在96.5%-102.1%之间.本法可以对铁矿中的和钒进行较为理想测定.  相似文献   
36.
本文介绍了氢化物原子荧光光谱法测定土壤中的不确定度评定方法,分析和识别测定过程中不确定度的来源,归纳提出了影响土壤中含量测定不确定度的主要因素.通过不确定度评定证明不确定度分量的主要来源为样品制备过程所带来的不确定度,其中,消解样品所引入的不确定度贡献最大;根据最小二乘法拟合校准曲线计算的标准不确定度次之,而标准储备液校准稀释以及重复性实验所带来的不确定度相对于前两者小很多.  相似文献   
37.
用从头计算第一性原理对Gd-V化合物进行了电子结构与磁性的理论研究.计算的理论基础是密度泛函理论和局域(自旋)密度近似,并应用了相对论性LMTO-ASA计算方法.结果表明Gd-V的非自旋极化能带均为半金属特征.在进行宽能带的自能修正后GdN的非自旋极化能带是半导体行为(Eg≈019eV).自旋极化的LSDA计算结果表明Gd-V均为半金属性的能带结构,即空带与价带有微弱的交叠.在布里渊区的X点和Γ点,分别有n型和p型色散的能带穿过费米面.对于GdN而言,它的上自旋子带为半金属能带,而下自旋子带却 关键词:  相似文献   
38.
废渣中Pb、Cr、Ba、As测定方法的改进   总被引:1,自引:0,他引:1  
赵爱东 《光谱实验室》2001,18(2):258-260
本文利用高频电感耦合等离子体-发射光谱仪直接测定了印钞厂废渣中的Pb、Cr、Ba、As4种微量元素。方法简便、快速、可靠,具有良好的精密度和准确度。相对标准偏差为1.3%-5.8%,回收率为94%-103%。测定结果令人满意。  相似文献   
39.
氢化物原子荧光法同时测定痕量砷和锑   总被引:8,自引:1,他引:8  
采用氢化物原子荧光法,研究了用L-半胱氨酸预还原法同时测定痕量、锑的方法和条件。的检出限为0.05μg/L,锑的检出限为0.09μg/L.  相似文献   
40.
王浩  杨恢东  丁瑞钦 《光学学报》2000,20(6):47-851
采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品(400℃,60min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为9.5cm^-1,对应薄膜中GaAs纳米晶粒平均粒径约为3nm。样品的室浊吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与GaAs块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝  相似文献   
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