全文获取类型
收费全文 | 1943篇 |
免费 | 379篇 |
国内免费 | 655篇 |
专业分类
化学 | 323篇 |
晶体学 | 39篇 |
力学 | 3篇 |
综合类 | 6篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 547篇 |
无线电 | 2057篇 |
出版年
2024年 | 15篇 |
2023年 | 25篇 |
2022年 | 31篇 |
2021年 | 36篇 |
2020年 | 40篇 |
2019年 | 31篇 |
2018年 | 29篇 |
2017年 | 35篇 |
2016年 | 39篇 |
2015年 | 55篇 |
2014年 | 96篇 |
2013年 | 69篇 |
2012年 | 94篇 |
2011年 | 107篇 |
2010年 | 110篇 |
2009年 | 109篇 |
2008年 | 129篇 |
2007年 | 115篇 |
2006年 | 101篇 |
2005年 | 96篇 |
2004年 | 106篇 |
2003年 | 105篇 |
2002年 | 103篇 |
2001年 | 96篇 |
2000年 | 129篇 |
1999年 | 124篇 |
1998年 | 119篇 |
1997年 | 99篇 |
1996年 | 113篇 |
1995年 | 144篇 |
1994年 | 121篇 |
1993年 | 93篇 |
1992年 | 79篇 |
1991年 | 58篇 |
1990年 | 43篇 |
1989年 | 53篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有2977条查询结果,搜索用时 390 毫秒
51.
52.
本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。 相似文献
53.
阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献
54.
本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献
55.
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品,实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系,同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。 相似文献
56.
57.
双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了有源面积为9mm2的双面肖特基势垒GaAs粒子探测器的电特性。器件工艺简单,结构新颖,反向耐压高于300V,反向漏电流密度低(91nA/mm2),该器件能经受能量为1.5MeV、剂量为1000kGy的电子照射,电特性正常,是一种抗辐照的粒子探测器。 相似文献
58.
59.
本文着重介绍了几年来机电站第13研究所在砷化镓技术研究与发展方向的主要成果,并对发展我国砷化镓技术提出一些看法。 相似文献
60.
本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献