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利用固体可饱和吸收体砷化镓(GaAs)作为被动调Q元件,实现了激光二极管抽运平-凹腔掺钕钒酸钇(Nd:YVO4)激光调Q运转,详细测量了砷化镓被动调QNd:YVO4激光输出特性,获得脉宽15ns,重复频率470kHz,光束质量M^2=1.31的激光输出,调Q激光运转阈值为500mW,并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程,讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系,理论计算结果与实验结果相一致。 相似文献
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任学民 《电子材料(机电部)》1995,(1):11-14
论述了国外晶体生长学者为了降低GaAs单晶位错密度对LEC技术所作的重大改进工作;介绍了LEC技术的进展状况。 相似文献
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29.
本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。 相似文献
30.
阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献