张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y／InP量子阱材料的光荧光谱实验室

给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。     

金钢石的制备研究

本文研究了两种不同质异构体石墨—金刚石的转化条件，以及在实验室现有条件下，利用石墨材料制备金刚石颗粒的具体方法和试验结果。     

国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）

国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污染起决定作用。由于其高的固熔度，高的可动性和两性电活性而难于控制，所以，对于过渡元素的研究...     

1991年日本电子材料产值

据日本电子材料生产者协会，(EMAJ)统计报告称，1991年日本电子材料总产值比1990年增长了6％，达4450亿日元。其中；金属材料(包括管子、半导体材料、软磁材料，弹性材料、焊接材料，耐腐，耐热材料，电阻材料和特殊材料)和永磁材料的产值分别比1990年增长3％；     

开关电源及其功率材料的现状与发展

本文介绍了目前国外开关电源产品的技术发展动向,市场现状与发展。