全文获取类型
收费全文 | 14662篇 |
免费 | 2661篇 |
国内免费 | 1714篇 |
专业分类
化学 | 1278篇 |
晶体学 | 92篇 |
力学 | 930篇 |
综合类 | 371篇 |
数学 | 4667篇 |
物理学 | 4937篇 |
无线电 | 6762篇 |
出版年
2024年 | 110篇 |
2023年 | 351篇 |
2022年 | 436篇 |
2021年 | 464篇 |
2020年 | 328篇 |
2019年 | 403篇 |
2018年 | 268篇 |
2017年 | 431篇 |
2016年 | 481篇 |
2015年 | 558篇 |
2014年 | 978篇 |
2013年 | 736篇 |
2012年 | 1123篇 |
2011年 | 1136篇 |
2010年 | 951篇 |
2009年 | 915篇 |
2008年 | 1115篇 |
2007年 | 847篇 |
2006年 | 797篇 |
2005年 | 837篇 |
2004年 | 732篇 |
2003年 | 717篇 |
2002年 | 574篇 |
2001年 | 510篇 |
2000年 | 403篇 |
1999年 | 376篇 |
1998年 | 327篇 |
1997年 | 325篇 |
1996年 | 308篇 |
1995年 | 261篇 |
1994年 | 259篇 |
1993年 | 184篇 |
1992年 | 183篇 |
1991年 | 157篇 |
1990年 | 159篇 |
1989年 | 161篇 |
1988年 | 51篇 |
1987年 | 26篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
121.
122.
煤矿冲击地压主要发生在巷道中,其主要原因之一是巷道围岩积聚了大量的弹性能。为得出矩形巷道围岩弹性变形能积聚特征,降低巷道支护成本,推导了巷道冲击破坏失稳能量准则,并建立了矩形巷道围岩能量积聚计算模型,理论分析了采深、巷道断面尺寸和煤层厚度对矩形巷道围岩能量积聚影响规律,得出:矩形巷道积聚的弹性能随采深的增加而增大,采深越深,巷道积聚的弹性能增长速率越快。巷道围岩积聚能量随巷道断面尺寸增加而增大。当煤层厚度小于巷道影响范围时,巷道积聚能量随煤层厚度增加而增大。在实际工程中,尽可能减小巷道断面尺寸,尽可能沿顶、底板布置巷道。研究结果为冲击地压巷道布置和降低巷道支护成本提供了理论依据。 相似文献
123.
研究了杨辉三角中的D av id星恒等式,给出了n阶星恒等式的定义,证明了n(n 3)阶星恒等式的存在性,并且给出了构造n阶星恒等式的方法. 相似文献
124.
Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation 下载免费PDF全文
By formation of an intermediate semiconductor layer (ISL) with a
narrow band gap at the metallic contact/SiC interface, this paper
realises a new method to fabricate the low-resistance Ohmic contacts
for SiC. An array of transfer length method (TLM) test patterns is
formed on N-wells created by P+ ion implantation into
Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. The ISL of nickel-metal Ohmic
contacts to n-type 4H-SiC could be formed by using Germanium ion
implantation into SiC. The specific contact resistance ρc as low as 4.23× 10-5~Ωega \cdotcm2 is
achieved after annealing in N2 at 800~°C for 3~min,
which is much lower than that (>900~°C) in the typical SiC
metallisation process. The sheet resistance Rsh of the
implanted layers is 1.5~kΩega /\Box. The technique for
converting photoresist into nanocrystalline graphite is used to
protect the SiC surface in the annealing after Ge+ ion
implantations. 相似文献
125.
126.
本文给出一组托卡马克堆芯等离子体功率平衡方程,它描述了在非自持和非麦氏分布情况下等离子体功率平衡的问题,计算结果表明。在现实可行的聚变堆工程和相应的等离子体参数情况下,堆芯中每秒可产生聚变中子PN大于10~19。 相似文献
127.
分布形式未知的矩法<英> 总被引:1,自引:0,他引:1
我们考虑分布形式未知的矩法,假设分布函数F_θ(x)可用一多项式表示或逼近。多项式的阶数r未知,其系数为未知参数θ_1,…,θ_r。我们给出了θ_1,…,θ_r的一种新的矩法估计,r可自动地求得,估计是强一致的。 相似文献
128.
129.
1 教学案例 人教版2003年全日制普通高级中学教科书(必修)数学第2册(上)第7.6节圆的方程中的例2是:已知圆的方程是x2+y2=r2,求经过圆上一点M(x0,y0)的切线方程. 本题有定义法、方程法、平面几何法、向量法等多种方法,所得切线方程为x0x+y0y=r2. 相似文献
130.
“算两次”原理是一个重要的原理,能较好培养学生的发散思维能力.本文中通过角度算两次、长度算两次、面积算两次、位置算两次的方法揭示了“算两次”原理在高考解三角形试题中的应用,提升学生思维品质. 相似文献