GEN IV 3KW速调管高功放故障处理

甘肃省地球站在2005年设备扩容改造中,为了确保安全播出,在广电总局的支持下采购更新了美国CPI公司的GENⅣ系列3KW速调管高功放。GENⅣ是新一代的速调管高功放,主要特点是采用了多收集极速调管(MSDC),并可以根据输出功率的大小自动调整管子束电压和灯丝电     

求解波场变换反演问题的连续正则化方法

本文研究波场变换反演问题.利用连续正则化方法求解波场变换反演问题,构造展平泛函,基于已经正则化的变分问题用差分法作有限维逼近.利用偏差原理和Newton三阶迭代收敛格式选出最优的正则化参数,实施数值求解.通过对数值计算结果与已知波场函数对比,证明该方法的有效性和可行性.与离散正则化算法相比,本文的连续正则化算法具有保结构和收敛速度快等优点.     

大电流电动汽车电池充电电流电压反馈系统设计

针对电动汽车厂家研发了电动汽车电池充电系统,设计了一种大电流低电压电池充电系统。系统采用了PIC16F877A单片机作为电子控制单元核心,对规格为50 A、3.7 V的电池组进行充电。重点对电流电压采样电路进行了设计和研究。通过建立采样电路的仿真模型。并用实际电压电流数据对本采样系统进行了验证。实验证明,系统提出的电流电压采样具有较高的精度、线性度,且能满足长期稳定运行的实际需求。     

模式自动切换电荷泵的开关感应误差电压的分析

本文描述了一个关于模式自动切换电荷泵的开关感应误差电压的精确表达式,此误差电压会在输出电容上产生一个冲击电压。这将会导致一些不希望得到的结果：大的输出电压纹波,有害的高频噪声和低的效率。通过这个表达式可以得到一些减小输出电容上冲击电压的方法。一个等效集总模型被用来推出此表达式。本文中的模式自动切换电荷泵使用SILTERRA0.18?m CMOS工艺实现。实验结果显示冲击电压的值与表达式的计算结果十分吻合。通过比较三个不同的经过改进的版本的测试结果,可以看到由开关感应产生的过冲电压明显的减小。     

工艺参数对低压TVS器件耐压的影响

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护.     

一款800V VDMOS终端结构的设计

设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。     

脉冲功率电容器用PbLa(ZrTi)O_3陶瓷性能研究

采用固相反应法制备了Pb0.96La0.06(Zr1-xTix)O3陶瓷,研究了Ti含量对所制陶瓷的电性能和储能特性的影响。结果表明,PbLa(ZrTi)O3陶瓷介电常数与电场强度呈非线性变化关系。当Ti含量x为0.08时,所测电滞回线细长狭窄,并呈下凹趋势,此时极化强度为22.18×10–6 C/cm2,储能密度为1.06 J/cm3。通过流延法制备的脉冲功率电容器击穿电压可大幅度提升,储能密度达1.95 J/cm3,具有高能量转换效率。     

一种低压高速灵敏放大器电路的设计

提出了一种适合于低电源电压嵌入式闪存系统的高速高抗干扰能力的灵敏放大器。讨论了应用在这个灵敏放大器中的多相位预充、自调节负载及新型的箝位技术。提出的灵敏放大器电路在0.18μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明:提出的灵敏放大器达到9ns的访问时间。     

一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究

OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定.通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3 pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18 cd/m2.电路可实现的最小OLED驱动电流为25 pA,像素亮度范围为1.82～217.37 cd/m2.     

AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响

采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能.