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991.
992.
993.
本文系统地介绍了凝汽器真空系统氦质谱检漏原理和方法。它简便、快速、准确,是一项具有重大现实意义的节能技术。 相似文献
994.
995.
简述了真空微二极管的结构参数设计、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同的温度下F-N曲线及湿法化学腐蚀制备硅尖的形貌。该微二极管起始电压为2V左右,发射尖电流5μA/锥尖。 相似文献
996.
997.
本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离子体杂质有一定效果。通过分析谱线、软X射线和m=2模式信号扰动之间的关系,指出杂质对等离子体不稳定性的影响。 相似文献
998.
本文阐述了开合操作对真空开关管绝缘强度的影响,给出了详细的实验步骤以及实验结果的数据处理。和前后的击穿电压和发射电流用实验的方法来确定,实验步骤包括“无电流关合/无电流开断”,“无电流关合/额定电流的开断”和“无电流关合/额定短路电流的开断”并研究它们对击穿电压和发射电流的影响,在这些实验中触头间隙是变化的。我们施加的电压波形如下:直流电压、闪烁脉冲电压和50HZ的交流电压。用从市场上买来的三咎不 相似文献
999.
本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径r_(tip)、锥体半角度θ_(1/2)、栅孔半径r_g和锥体高度h的依赖关系。栅压V_g=100V,锥体发射阴极对曲率半径r_(tip)、栅孔半径r_g的电流灵敏度分别是3.7×10 ̄7A/nm和1.1×10 ̄3A/μm。 相似文献
1000.
解决真空微电子器件的稳定性和寿命问题,可以扩大场臻发射器的应用范围。本文概述了影响真空微电子场致发射阴极阵列发射稳定性的几个因素,认为阴极材料和功函数是决定真空微电子器件发射稳定性的主要因素。最后提出了解决发射稳定的几个建议。 相似文献