晶体中光电子涨落的影响因素

针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素.在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;而深电子陷阱由于对光电子形成强束缚或作为复合中心加速了光电子的衰减.     

一种智能家居安防系统的电路设计

介绍了一种家居安防系统的硬件电路.采用门磁、热释红外、主动红外、振动、可燃性气体、烟雾等传感器及新型的安防集成电路,由高性能收发组件完成外围信号的采集和传送.采用高性价比的PIC单片机作为主控器件,工作稳定可靠.     

新型槽栅MOSFETs的特性

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.     

电子产品实施无铅化是一个系统工程

从六个方面内容进行了评述,并强调了电子产品实施无铅化是一个系统工程。企图从电子产品实施无铅化的提出、无铅化焊料的基本特性、无铅化焊料焊接时的特点与要求等出发,从而论述电子产品实施无铅化对电子元器(组)件、CCL基板材料、PCB基板的主要要求以及相关的测试与标准的制定等,其目的是使读者有一个较全面的了解,以利于电子产品(包含原材料、元器件、PCB、组装等)制造者、特别是相关的工程技术人员,从整体的关联或系统工程上来理解、研究和解决电子产品无铅化问题,使电子产品能顺利而迅速地从有铅化(锡-铅体系)时代过渡到无铅化(目前,最佳体系为锡-银-铜系列)时代。     

硼化镧薄膜的发射特性研究

LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源，但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究，本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测，使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比，薄膜显示出良好的发射特性，利用热发射测量逸出功，利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2．64eV。     

液相外延系统中高指标热场的实现

高精度、高稳定性、高降温速率的热场,是液相外延设备研制中的关键技术之一。介绍了热场的结构设计、炉温的控制及调试结果。     

热释电材料及其应用

对热释电材料进行了分类 ,对热释电材料、热释电传感器、热释电探测器的性能作了介绍 ,提出了一些改进热释电材料性能的方法 ,对热释电材料的研究现状和应用前景作了探讨。     

手持热像仪的设计

从手持热像仪的性能要求出发,讨论了手持热像仪设计中应考虑的几个问题,并给出了一个设计实例。     

高温超导体Hg0.9Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ的热导

测量了高温超Ｈｇ０．９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热导率,温度范围为２０～３００Ｋ。在超导转变温度Ｔｃ以下观察到热导率明显的增加。在６５Ｋ（～０．５Ｔｃ）附近,超导体的热导率表达到了一个宽的极大,热导率的极大值为的１．６倍。用正常态电子散射的模型对实验结果进行了拟合。