一种可靠、高效、灵活的数据中心机房供电解决方案

随着中国移动数据业务迅速发展,中国移动各地数据机房将陆续建设,如何合理设置机房供电系统,对节能、节地都起着至关重要的作用。本文结合新技术的应用,提出了一种靠、高效、灵活的数据中心机房供电解决方案。     

BFC直流变换器在光伏发电系统中的应用研究

光伏发电系统中输出电压随光强变化波动较大,为保证正常并网逆变,需要一种高增益的直流变换器将光伏输出电压提升到常规直流母线电压。这里主要研究一种基于Boost拓扑、Flyback拓扑的升压反激式变换器(BFC)在太阳能光伏发电系统的应用。BFC将Boost拓扑与Flyback拓扑输入并联、输出串联,反激拓扑中的初级线圈电感同时作为Boost拓扑的输入电感,变压器的漏感能量得到了利用。仿真结果表明,新型BFC直流变换器应用于光伏发电系统时,具有提高输出电压增益,减小电压纹波,跟踪效果更好等优点。     

极紫外反射镜氧化物保护层的制备与表征EI北大核心CSCD

极紫外(EUV)反射镜在使用过程中的氧化及表面碳污染沉积,严重影响了极紫外光刻(EUVL)技术的工业应用。为了延长EUV反射镜的稳定性与使用寿命,一般采取在Mo/Si多层膜表面添加保护层。采用直流反应磁控溅射技术,建立氧气流量与溅射电压之间的"迟滞回线"关系,进而准确掌握不同氧化物保护层所需氧气量,以此减少过多的活性氧对下层Mo/Si多层膜的影响,提高镜面的反射率。选用Ru O2与Ti O2两种保护层材料进行比较,根据充氧量的不同,分析不同反应阶段的薄膜特性。针对催化性和物理稳定性更好的Ti O2薄膜,在晶相、表面粗糙度、截面均匀性和化学组分等方面给予评价。研制出膜质致密均匀的非晶态Ti O2薄膜,其表面粗糙度优于100 pm;Ti O2纯度(质量分数)达97.2%;保护层厚度为2 nm的Mo/Si多层膜的反射率损失小于5%,满足EUV外多层膜的基本要求。     

高压直流断路器测控装置的设计与试验分析

直流输(配)电是目前电网发展的趋势,而高压直流断路器的研发是影响其发展的关键技术之一。测量与控制装置的研究是高压直流断路器的研发要点。采用高压电力电子器件,DSP+FPGA相结合的控制方式,对其测控装置进行研究分析,提出了区间阈值的控制方法及相应的控制时序,从高压直流输电、能源多样化的发展需求入手,将机械开关和固态开光相结合,设计了一套混合式高压直流断路器样机。通过对样机进行合分闸试验及故障分闸试验,证明了所研制的高压直流断路器样机具有分闸动作快,限弧能力强,动作一致性好等优点。     

动态法测量材料的磁电效应

根据动态法测量磁电效应的基本原理,优化设计并建立了磁电效应测量系统,对其中的一些重要参数对磁电效应测量的影响进行了研究.结果表明,综合考虑测量需要,选择适当的测量参数,对于磁电效应的正确测量十分重要.适当增加线圈长度、减小线圈匝数以及减小交变磁场场强,都是提高磁电效应测量精度、减小测量误差的有效途径.     

带直流负载的快堆控制棒电源系统设计

该文首先根据直流负载的特点和功能要求,提出了快堆核电厂控制棒驱动机构电源系统的总体架构。其次,在主要设备设计方面,通过对不同类型整流器的对比分析,选取了高频开关整流器作为发电机输出整流设备,并给出发电机、飞轮、电动机选型依据和计算方法。最后,该文描述了棒电源控制系统的控制方案和具体设备配置,并通过与压水堆交流并列方案的对比,提出了棒电源系统在整流器直流侧并列的优势。     

浅谈QJ44型直流双臂电桥基本误差的检定方法

文章围绕着QJ44型直流双臂电桥的计量特性,详细介绍了一种适用于QJ44型直流双臂电桥基本误差的检定方法。     

直流偏置环境下的OFDM低复杂度帧检测算法

在具有零中频架构收发机的正交频分复用(OFDM)系统中,接收机解调性能通常会受到载波频率偏移、收发机IQ失配和直流偏置(DCO)的影响。其中直流偏置直接影响频偏的估计并使帧检测变得困难,针对这一现象提出了一种基于多段重复前导序列的双搜索窗分段延迟相关帧检测算法。该算法相比传统直流偏置估计和补偿算法而言,实时性强、复杂度低、实现简单,且采用自相关运算,能在大频偏环境下正常工作。仿真搭建含有直流偏置的多径信道模型,在接收端抓取信号经过射频电路后在多径信道下产生的基带信号并对算法进行性能测试,结果表明,相比于性能较好的OFDM帧检测算法,该算法具有较低的误检率和漏检率。     

磁控溅射工艺对VOx薄膜结构和性能的影响

以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx 薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射 气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8∶25时, 经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx 薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时,单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。     

直流断路器临界负载电流分断特性的研究

是否能够可靠地分断临界负载电流是衡量直流断路器性能的一个重要指标.按照直流断路器相关标准中规定的试验电流制定了试验方案,对分断不同试验电流产生的过电压和燃弧时间进行分析,总结了过电压和燃弧时间的变化规律,为低压直流断路器生产制造提供参考.