基于MAX5026的单光子探测器直流偏压源设计

讨论了单光子探测器核心器件雪崩光电二极管(Avalanche Photodiodes,APD)的特殊工作原理,并在此基础上介绍了使用PWM升压变换器MAX5026设计出的一种APD直流偏压源方法。阐述了电路的主要设计要点,对电路性能进行了分析说明。实验结果表明:这种小功率直流偏压源电路工作性能良好,具有高稳定性和低纹波输出,能满足单光子探测时APD雪崩击穿对电源电压的要求,是一种理想APD直流偏压源。     

一种用于900MHz射频识别(RFID)读写器芯片的1.8VCMOS直接变频接收机

设计了针对解决900MHz RFID读写器收发机芯片中本地载波干扰问题而优化的直接变频接收机,并在0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺上实现验证.设计中使用了一种串联反馈结构的基带放大器以达到同时实现无源混频器输出缓冲,直流消除以及信号放大的功能.实际测量显示,该接收机的输入1dB压缩点为-4dBm,当中频信号解调信噪比要求为10dB时,可达到的灵敏度为-70dBm.该接收机与整个收发机集成在同一块芯片中,使用1.8V电源电压,工作时静态电流为90mA.     

电流源激励下的模拟电路端口电压测试方法

文章研究了电流源激励下，二端口网络的输入端电压和输出端电压随网络中元件参数变化时相互之间的关系，并在此基础上提出了一种模拟电路故障诊断新方法。该方法不仅能够同时诊断元件的硬故障和参数偏移故障，而且能够同时运用于直流测试和交流测试。     

新型嵌入式处理器NiosII在电机伺服控制中的应用

NiosII系列嵌入式处理器是Altera公司的32位RISC结构CPU。文章介绍了NiosII的结构特点及开发流程,利用NiosII软核设计了一个嵌入式直流无刷电机伺服控制系统。该系统充分利用Nios处理器集成度高、灵活性强、运算速度快的特点,实现了单个芯片完成可编程片上系统(SOPC),具有灵活、稳定、高效率等特点,而且系统本身结构极为紧凑。该系统已成功应用于机器人仿人灵巧手系统。     

混合微网互联变流器辅助电源设计与实现

微网互联变流器是交直流混合微网的接口,其运行方式要求辅助电源可双网供电并实现无缝切换,而常规辅助电源无法满足要求。为了解决这一问题,文中提出双网供电的混合微网互联变流器辅助电源拓扑与无缝切换策略。辅助电源采用前后级变换架构,通过前级双电源相互供电和控制环路的自动启动,实现直流微网和交流微网间的无缝切换。最后实现了设计方案并进行实验验证,实验结果表明所设计的辅助电源可满足混合微网互联变流器的要求。     

直流数字电压表的不确定度评定

详细叙述了直流数字电压表测量结果的不确定度评估,分析了影响测量不确定度的原因,计算了各不确定度分量并给出合成标准不确定度。通过对测量结果不确定度分析,提高了测量准确度和工作效率。     

直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析

利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%.     

VOx薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究

VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.     

谈谈ADC误差对系统性能的影响

本文详细分析了模-数转换误差对数据要素系统的影响。     

直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.