用阈函数实现任意逻辑函数的新方法

本文讨论了任意逻辑函数化为阈函数的基于谱技术的设计方法,并在此基础上提出了一种新方法。     

基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源

利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差△VGS产生高阶补偿量,对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源。电路基于CSMC 0.5um标准CMOS工艺设计,仿真结果表明：在5V电源电压下,基准输出电压为1.258V;在-40～125℃的温度范围内,温度系数为1.24ppm/℃;低频时电源抑制比PSRR为-68dB;电源电压在3.5～6.5V范围内工作,线性调整率为0.4mV/V。适用于高精度带隙基准源。     

托美汀的吸附伏安法研究

在０．２ｍｏｌ／Ｌ ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ底液中，托美汀在悬汞电极上有一灵敏的还原峰。峰电位为Ｅｐｃ＝－１．４８Ｖ，该峰具有明显的吸附性，峰电流ｉｐｃ与ＴＯＬ浓度在４．０×１０＾－９－７．０×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系；检出限为５．０×１０＾－１０ｍｏｌ／ｌ，用该法测定了片剂ＴＯＬ的含量，结果良好。     

载能碳离子撞击石墨烯中Stone-Wales缺陷的动力学研究

采用分子动力学模拟方法,研究了载能碳离子撞击石墨烯中Stone-Wales缺陷的动力学过程,计算了Stone-Wales缺陷中初级碰撞原子的离位阈能和载能碳离子使其移位的入射阈能,并与完美石墨烯结构计算结果进行对比。通过分析初级碰撞原子与入射离子动能和势能随时间的变化关系,研究了碰撞过程中能量转移过程。研究结果表明,初级碰撞原子产生离位并最终脱离石墨烯体系的最小能量为25.0 eV。当初始动能为23.0 eV时,Stone-Wales缺陷中2个七元环共用的碳-碳键旋转90°形成了完美的石墨烯结构。此外,还发现使Stone-Wales缺陷中初级碰撞原子发生离位的载能碳离子最小入射能为41.0 eV。     

On Hausdorff dimension of certain Riesz product in local fields

In this paper, we consider the Riesz product dμ =^∞∏j=1（1＋ajRexbjλj（x））dx in local fields, and we obtain the upper and lower bound of its Hausdorff dimension.     

基于阈上随机共振的弱信号双色中波红外图像融合

提出了基于阈上随机共振的弱信号双色中波红外图像融合方法.利用阈上随机共振分别增强两幅图像的弱信号,通过中值滤波对图像降噪,然后对降噪图像进行支持度变换融合,得到信息丰富、细节明显的融合图像.实验结果表明,融合图像的局部标准差提高了247.7％、局部熵提高了45.52％、峰值信噪比分别提高了6.71％和6.65％,证明了...     

应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si 全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si 全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si 全耗SOI MOSFET物理参数设计提供了重要参考. 关键词： 应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势 亚阈电流     

一类非线性神经网络中噪声改善信息传输

以互信息为测度,通过数值计算和计算机仿真比较详细地讨论了在加性和乘性噪声共同作用下的一类非线性神经网络中噪声改善信息传输的(阈上)随机共振现象.在一定的系统阈值和固定的乘性(或加性)噪声强度下,互信息随着加性(或乘性)噪声强度的增加显示出上凸变化,(阈上)随机共振出现;系统阈值单元数目的增加可增强信息传输的效果;系统阈值的增加使得信号处在阈下的成分增多,(阈上)随机共振现象更容易发生.另外,改变加性噪声强度比改变乘性强度时(阈上)随机共振更容易发生.以上结果说明(阈上)随机共振现象的存在性和噪声改善信息传输的效果与乘性或加性噪声强度、阈值单元数以及系统阈值水平密切相关.     

Even-odd harmonics generated from above-threshold ionization

We are reporting a theoretical prediction： The photoelectrons forming above-threshold-ionization （ATI） peaks emit both even and odd harmonics. These harmonics exhibit plateau and cut-off features similar to those odd-only harmonics observed in ATI experiments.     

a-Si TFT亚阈特征参数与有源层的厚度效应

从异质界面处的有效界面态出发 ,研究了 a-Si Nx:H/a-Si:H异质结 a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应 ,发现 a-Si:H的特性不仅与材料、工艺有关 ,而且其几何结构参数对 a-Si:H TFT的特性也有明显的影响。实验结果表明 :亚阈特征参数主要由异质界面的有效界面态密度决定 ,当 NH3/Si H4 比增加时亚阈特征参数下降 ,增加 a-Si Nx 材料的淀积温度 ,可使亚阈特性得到明显的改善 ,a-Si:H有源层的厚度减小 ,抑制了亚阈参数的增加 ,阈值电压也减小并趋于稳定 ,且 TFT的 ION/IOF F随有源层厚度呈现近似抛物线状变化规律。文中从理论上分析了有源层厚度与 TFT特性的关系 ,计算的最佳有源层的厚度约为 2 0 0 nm,这与实验结果基本一致。