基于开关信号理论的电流控阈技术及I^2L施密特电路

本文在开关－信号理论的指导下，采用电流信号表示逻辑值，对Ｉ＾２Ｌ电路中如何实现阈值控制进行了研究，在此基础上，提出了实现阈值控制电路的接地开关运算表示式，并用于设计相应的三值Ｉ＾２Ｌ施密持反相器电路，用ＰＳＰＩＣＥ程序模拟证明了所设计的电路具有理想的施密特电路特性。     

普通话三合元音音节最小时间感知阈及其声学特性

本研究的实验材料取自中国社会科学院语言研究所语音数据库．库中存有15个男青的语音材料，共有15×15=225个三合元音音节．本研究的主要目的是从普通话三合元音入手，在对15个说话人的语音材料统计的基础上，通过对最小时间感知阈Tlim的测量与研究，从声学和感知的角度，给出三合元音必不可少的信息，指出多余信息．实验结果表明，TIim内的共振峰变化情况可分为两类．一是动态特性，它的表现是：（a）△F1＞90％，△F2约50％；（b）Tlim内至少包括F1，F3两个拐点中的一个；（C）Tlim内包括F2变化最剧烈的部分．这四点对四个三合元音是一致的．第二类是边界条件，Tlim受到位置和大小两方面的限制，证明其边界共振峰频率十分重要．     

原子激发态在高频强激光作用下的光电离研究

本文通过数值求解动量空间的三维含时薛定谔方程, 研究了原子高激发态在高频激光脉冲作用下, 在电离阈值附近的光电子能谱和两维动量角分布. 研究结果表明: 在该能量范围内, 单光子电离过程的贡献是最主要的. 体系初态的主量子数可以由光电子能谱峰值的位置来确定; 体系初态的角量子数可以通过光电子的两维动量角度分布确定. 在比较宽泛的参数范围内, 这一规律不随入射激光的强度和脉冲时间宽度的改变而改变, 因此原则上可以利用它对原子的初态进行识别. 此外, 还研究了体系的初态为相干叠加态, 光电子动量谱随着叠加态相对相位的变化规律. 关键词： 阈上电离 激发态 高频激光脉冲 两维动量角度分布     

用低能弱r源测量电子对的近阈产生截面

关键词：     

随机过程的阈交方法在分析股票涨跌周期中的应用

提出了运用随机过程的阈交方法来分析股票的平均涨跌周期,用实例得到了中国石化(600028)股票的平均涨跌周期为2天.并提出了中国股市的日涨跌幅限制在7%的想法,用实例说明了这种想法的合理性.     

全耗尽SOI MOSFET的阈电压的解析模型

本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。     

用伪谱方法计算强激光场中一维原子的阈上电离谱

引入非线性空间变换,用伪谱方法求解了一维原子在强激光场中的薛定谔方程,再利用B样条函数和傅立叶级数的线性组合构造原子未微扰的本征函数,计算了一维原子在强激光场中的阈上电离谱,其结果与分裂算符法得到的结果符合得很好.     

不同功率氮激光穴位照射镇痛作用研究

作者以不同功率的氮澈光对大白鼠分组进行穴位照射。照射前后测痛，照射后动物痛阈都有提高，说明不同功率的氮激光均有镇痛作用。高、低功率氮澈光穴位照射后动物产生的痛阈变化经统计学处理，差异性不显著。提示使用低功率氮激光同样可达提高痛阈的目的。     

超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究

采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究.通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k值需小于50,固定电荷面密度至少应在1.0×1012 cm-2以下.