钛酸锶钡薄膜的电子显微研究

传统的硅工业一直按照摩尔定律的预测在向高集成度发展。动态随机存储器的存储密度也需要不断的提高 ,也就是要求同样的信息存储在更小的面积内。传统的方法是通过不断地减小介电层 (非晶ＳｉＯ2 )的厚度来满足动态随机存储器向高集成度发展的要求的。然而 ,当电介质的厚度小到一定程度后 ,电子的隧道穿透效应将会使该器件无法工作 ,这个厚度就是它的极限厚度。约 80年代末期 ,人们开始普遍的关注到这个极限的到来 ,并开始寻找解决的途径。其中最有希望的途径就是利用高介电系数的电介质替换低介电系数的ＳｉＯ2 ,也就是通过提高电介质的介…     

有线电视野外光电设备的选用

面对市场上玲琅满目、种类繁多、性能各异的野外光电设备,选择一款性能符合指标、维护界面简洁、便于操作的野外光电设备至关重要。根据笔者使用、维护光工作站的经验,谈谈对光工作站选用的认识。     

In对Sn9Zn钎料润湿性能的影响

为了提高Sn9Zn共晶钎料的钎焊性能,通过合金化的方法添加了少量元素In,制备了Sn9Zn-xIn钎料。从钎料合金的熔化特性、润湿特性、界面显微结构和母材粗糙度这四个方面评价了不同In含量对Sn9Zn钎料润湿性能的影响。试验结果表明:少量元素In的添加可以降低钎料的熔点;随着In含量的增加,钎料的润湿力增大,润湿时间缩短,润湿性有明显提高;In含量增加,润湿界面层中Cu5Zn8化合物层厚度增加;对母材表面进行毛化处理,通过改变母材表面的微观几何结构,增大钎料与母材的相对接触面积,从而改善钎料的润湿性能。     

衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置     

561台的节传音频调度系统

文章对561台甲节传音频调度系统的节目调度、设备监控、设备配置、账号管理、日志管理等六大模块的使用界面和主要功能进行了介绍.     

Cadence收购Tensilica,夯实IP实力

高速接口与处理IP准备就绪2013年3月11日,EDA领头羊Cadence宣布,其已与在数据平面处理(DPU)IP领域的领导者Tensilica以约3.8亿美元现金收购Tensilica达成协议。至此,Cadence在高速数据处理和接口IP方面布局已基本就绪,为下一代SoC设计做好了IP准备。实际上,几年来,Cadence一直在IP上布局,最近几年发生了一些并购案,主要集中在高速接口:收购了Denali Software公司,获取了高速存储     

神州数码信息系统有限公司

正如Digital China的命名一样,神州数码始终以"数字化中国"为使命。2010年,顺应国家"十二五"规划中信息化、工业化和城市化"三化融合"的趋势,神州数码审时度势,提出"智慧城市"战略,继续推进"以客户为中心,以服务为导向"的转型,融合城市化和信息化进程,以在中国IT服务领域多年的积累引领"智慧城市"时代发展。神州数码的智慧城市理念是以社会经济的繁荣为目标,     

QFN器件在无铅焊工艺中湿热导致的界面开裂失效研究

界面开裂是塑封IC器件的主要失效模式之一。电子封装用高聚物具有的多孔特性致使封装材料易于吸潮。在无铅回流焊工艺中，整个器件处于相对较高的温度下，致使高聚物吸收的潮湿会膨胀并在材料内部空洞产生很高的蒸汽压力。界面开裂在热机械、湿机械和蒸汽压力的耦合作用下极易发生。本文的主要目的就是研究无铅回流焊工艺中，温度、潮湿和蒸汽压力耦合作用对QFN器件开裂失效的影响。文章对塑料封装QFN器件从168小时的JEDECLevell标准（85℃／85％RH）下预置吸潮到后面的的无铅回流焊的整个过程进行了有限元仿真，并且对温度、湿度和蒸汽压力耦合作用下裂纹的裂尖能量释放率也通过J积分进行了计算。论文的研究结果表明QFN器件吸潮后封装体界面的潮湿成为界面开裂扩展的主要潜在因素，EMC材料、芯片和粘合剂的交点处应力最大，在该处预置裂纹后分析表明回流峰值温度时刻裂纹最易扩展且随裂纹长度增加扩展的可能性在提高。     

智能型双处理器802．11模块

新型模块迅速地把802．11功能连接到任何产品上,而且成本很低。对于包含处理器的产品,可以进行改装,利用EZURiO的802．11模块的高水平控制界面进行无线连接。对于新产品设计,由于ZURiO模块内部具有处理能力,可代替任何其他处理器。     

In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。