Mentor Graphics:向嵌入式市场发力

Mentor Graphics首席执行官(CEO)Wally Rhines和嵌入式.系统部门亚太区经理徐志亮,在该公司年度盛会EDA Tech Forum 2010召开之际接受了EDN China技术编辑的专访,就公司的EDA和嵌入式市场策略进行深入交流.     

基于超声波传感技术的泥水界面检测

沉淀池中泥水界面的测量是污水处理过程中的重要工序。本文阐述了利用超声波回波检测技术实现泥水界面测量的原理,介绍了检测系统的软硬件设计和回波信号的处理。     

Cl/Cl2/He+HN3/He反应体系的实验研究

本文对微波解离C12产生CI，与HN3／He的混合气体反应产生的激发态粒子NCI(a1△)和NCl(b1∑)进行了实验研究．对NCl(a1△)和NCl(b1∑)的荧光光谱进行了测量并对光谱强度沿气流方向的变化趋势以及依赖几种不同气体流量和配比的变化关系进行了研究．给出了NCl(a1△)和NCl(b1∑)产生的最佳实验参数及配比关系，并对结果做了讨论．     

用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构

用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性.通过改变衬底温度、V/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析.     

基于MHP的数字电视交互界面的设计与实现

简要介绍交互数字电视中间件标准MHP的基本原理以及数字电视交互界面的分层模型，详细讲述如何基于XletView模拟器进行数字电视交互界面的设计与实现。     

梯度型塑料光纤棒制备工艺的研究

本文研究了通过界面凝胶聚合法制备折射率呈梯度型（GI）分布的塑料光纤棒,以溴苯（BB）作为高折射率掺杂单体。研究发现,在聚合反应前期,混合物在真空70℃的环境下聚合,而后期反应在高压气氛中进行,可以制备出没有任何真空泡和气泡的梯度型塑料光纤棒。     

QFN器件在无铅焊工艺中湿热导致的界面开裂失效研究

界面开裂是塑封IC器件的主要失效模式之一。电子封装用高聚物具有的多孔特性致使封装材料易于吸潮。在无铅回流焊工艺中，整个器件处于相对较高的温度下，致使高聚物吸收的潮湿会膨胀并在材料内部空洞产生很高的蒸汽压力。界面开裂在热机械、湿机械和蒸汽压力的耦合作用下极易发生。本文的主要目的就是研究无铅回流焊工艺中，温度、潮湿和蒸汽压力耦合作用对QFN器件开裂失效的影响。文章对塑料封装QFN器件从168小时的JEDECLevell标准（85℃／85％RH）下预置吸潮到后面的的无铅回流焊的整个过程进行了有限元仿真，并且对温度、湿度和蒸汽压力耦合作用下裂纹的裂尖能量释放率也通过J积分进行了计算。论文的研究结果表明QFN器件吸潮后封装体界面的潮湿成为界面开裂扩展的主要潜在因素，EMC材料、芯片和粘合剂的交点处应力最大，在该处预置裂纹后分析表明回流峰值温度时刻裂纹最易扩展且随裂纹长度增加扩展的可能性在提高。     

C离子注入对几种金属／单晶SiO2体系界面特征的影响

近年来利用离子注入技术对金属 陶瓷体系进行界面增强已逐渐受到人们的关注[1～ 3] 。本文报道了利用Ｃ离子注入改善金属 (Ｔｉ、Ａｌ或Ａｇ) ＳｉＯ2 单晶的界面结合 ,并利用纳米划痕仪结合原子力显微镜对Ｃ离子注入前后金属 ＳｉＯ2 单晶的界面失效机理进行了研究。结果与讨论利用真空蒸镀法在ＳｉＯ2 单晶 (水热法合成 )表面制备厚度为 1 80ｎｍ左右的金属 (Ｔｉ、Ａｌ或Ａｇ)薄膜。Ｃ离子注入能量为 1 1 0ｋｅＶ ,剂量为 1× 1 0 17Ｎ+ ｃｍ2 ,靶室真空度为 3～ 5× 1 0 - 3 Ｐａ。采用瑞士ＣＳＥＭ公司ＮＳＴ纳米划痕仪 (配有原子力显…     

施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征

基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 .研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且电子施主界面态密度对器件特性的影响远大于空穴界面态 .特别是沟道杂质浓度不同 ,界面态引起的器件特性的退化不同 .沟道掺杂浓度提高 ,同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大 .