Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

Growth of NaBi（WO4）2 Dendrite and Mechanism

The solid-liquid interface motion of NaBi（WO4）2 （NBWO） melt crystal growth is observed in an in situ system, in which the whole processes of interface transition from fiat interface and cellular to dendrite are visualized. The spacing of the dendrite under smaller temperature gradient turns out to be larger than that under larger temperature gradient, which is found to be sensitive to the temperature distribution. The mechanism of dendrite growth of NBWO is studied based on the model of the growth units of anion coordination polyhedra. The { 001} face has two apex links, so it shows higher stability and has high growth rate and forms the arm of dendrite, whereas the {010} face has only one apex link, and thus shows relative slower growth rate and firstly forms the branches.     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

重离子融合反应入射道效应的动力学研究

运用微观输运模型-改进的量子分子动力学模型(ImQMD), 研究了弹靶质量对称体系⁷⁴Ge+⁷⁴Ge与弹靶质量不对称体系⁴⁸Ti+¹⁰⁰Mo的重离子融合反应入射道效应及其动力学机制, 并分析了复合体系的均方根半径〈r²〉^1/2和形变参量β随时间的演化过程, 结果表明质量对称的反应体系比不对称体系更容易产生形变较大的Gd, 则说明重离子融合反应中的动力学效应对大形变核的产额有很大的影响.     

孤立分散在SiO2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究

利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO₂介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO₂介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰 强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.     

催化动力学光度法测定痕量铝

痕量铝在硝酸介质中能催化加速过氧化氢和高碘酸钾与二甲苯胺兰FF之间的褪色反应。研究了反应的最佳实验条件,建立了测定痕量铝的新方法。方法检出限为6.1×10-10gAl3+/mL,检测范围为0-1.0μgAl3+/25mL。本方法具有高灵敏度,选择性较好,操作简便,快速的特点。用以测定水样中的痕量铝,获得满意结果。     

氧碘化学激光气固相化学反应体系热力学分析

氧碘化学激光器（COIL）的发展已经到了提高系统安全性和工作环境适应性、降低系统复杂性阶段，而改进O2（^1△g）的产生方式和方法正是这个阶段的重要工作内容之一。近期，美国空军研究实验室运用气-固相反应方式产生O2（^1△g）。采用碱金属过氧化物或碱土金属过氧化物与卤化氢反应，生成O2（^1△g）。通常气一固相反应有着反应速度慢，接触面积小，反应产物难以脱出固体表面的缺陷，使得产出率低，而不被广泛采用。但随着表面化学研究的突飞猛进，借助表面活化分子，特殊性质的表面构造，大表面的构造，都为气一固相反应的进行提供了可行途径。如果此方法能用在氧碘激光器上，将克服传统方法的诸多不足。     

二维欧拉多介质流体力学数值模拟-TVD＋VOF方法

用TVD格式结合VOF界面处理方法编制了二维多介质高分辨欧拉程序，以解决冲击波和多介质界面处理。程序包括单介质网格高精度流体力学计算、多介质网格内界面重构、各种介质输运和压力驰豫平衡过程。其中单介质网格的计算采用Harten二阶TVD格式结合MacCormark方法计算含有源项的非齐次守恒定律方程组，通过4节点限制函数保证格式单调。多介质网格采用Youngs方法构造界面，采用x，y方向分裂格式计算体积份额输运，再根据体积份额输运计算质量、动量和能量的输运，最后利用等熵条件计算各种介质的压力驰豫平衡过程。     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散     

无介质微波作用下酮与稳定叶立德的反应

酮与稳定膦叶立德在家用微波炉中加热，在无任何溶剂或固体介质条件下，4．5min之内完成反应，得到了良好产率的Wittig反应产物，较之液相苯中回流反应的传统方法，此法具有时间短、操作步骤简单、无毒害等优点，同时使一些在传统方法中与稳定叶立德不反应或难反应的酮得以进行并有较好收率。此外，在得到α，β-不饱和酯的同时，还发现了少量重排产物β，γ-不饱和酯，并对其机理进行了推测与证明。