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11.
AlSb晶体内二维磁极化子的磁场与温度效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子特性的影响。对AlSb晶体所作的数值计算结果表明,随着磁场的加强,磁极化子平均数减少;随着温度的增加,磁极化子平均数也增加;随着温度的增加,电子自旋作用以及声子之间相互作用都加强;随着磁场的加强,电子自旋作用增加而声子之间相互作用基本不变。 相似文献
12.
光纤布拉格光栅的无源温度补偿 总被引:3,自引:1,他引:2
分析了通过施加应变补偿光纤布拉格光栅(FBG)中心波长随温度漂移的原理,给出了一种新型的无源温度补偿的方法和相应的实验结果。该方法采用了两种不同热膨胀系数的金属,对光栅先施加预应变。在0-60℃范围内,中心波长仅偏移了0.02nm。 相似文献
14.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
15.
16.
讨论了输出终端带不等式约束情形的多输入多输出系统,说明了这些约束可以通过修改输入柔化系数而使其得以满足,在柔化系数的选择范围确定过程中,为了避免矩阵求逆,采用利用已知数据辨识参数的方法来确定柔化系数,从而使得问题简化。降低了计算量且加快了收敛速度。 相似文献
17.
PPTC组件不但提供了自复式的电路保护功能,而且相较于只能使用一次的普通保险丝,它还拥有许多其它的优点。 相似文献
18.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
19.
1 全频段信号电平偏低
引起电平偏低的原因较多,主要有温度变化、放大器工作异常、电缆老化等几种。
(1)温度变化导致电平下降
温度变化导致电平下降有两方面的原因,其一是温度降低使电缆芯线热胀冷缩而接触不良引起电平降低,出现这种情况时低频段的电平比高频段的电平下降快,此故障多发生于冬季,出现这种故障必须重做接头,并紧固接口器件;其二是温度升高使电平下降,根据电缆的温度特性,随着环境温度的升高损耗随之增大, 相似文献
20.