基于C8051F320 USB接口的数据采集存储电路

介绍采用C8051F320 SOC与AM45DB321构成数据采集存储系统的设计方案.     

为3G网络电路域提供良好基础软交换技术优化GSM核心网

GSM网络覆盖面积非常广泛,并且不同地区网络规模、通信需求和通信消费的差别也存在非常大的区别.本文通过分析现有GSM核心网在网络结构、运维、安全、业务提供能力等方面的现状和劣势,提出了利用软交换来优化现有GSM核心网的方案,通过该优化使得现有GSM核心网在上述各方面的问题都得到解决的同时,为向3G网络电路域的平滑演进提供了良好的网络基础.     

基于COB组装工艺的芯片失效分析

在市场上逐步推广的液晶模块(LCM)生产中,其LCD系列驱动电路的封装工艺主要采用裸芯片的COB(chip on Board)封装方式。文中通过总结自行设计和加工的LCD系列电路在应用厂商批量使用过程中出现的COB封装问题,对COB的工艺流程、COB工艺中的关键工艺——键合以及主要的失效点以及常见的失效原因进行分析,并结合在实际推广过程中问题的解决方法,对LCD系列驱动电路和其他芯片在COB应用中主要出现的键合不良、边缘铝层颜色异常、钝化孔残留、键合参数、COB环境等方面问题加以整理归纳,并提出了可行的解决办法。     

便携式应用的半导体产品封装发展回顾

半导体封装主要是提供一个媒介,把精细的硅芯片连接到较粗糙间距的印制电路板上,并保护器件免于受潮。这些年间,虽然这个功能并未改变,但封装技术已远较从前复杂。由于芯片的性能逐步复杂封装已肩负着全部散热的责任,这些热量不能成为限制部件电子性能的因素。而且对便携式应用而言,由于空间越来越宝贵,也需要更小和更薄的封装。随着硅片工作频率的提高,走线电感需要减小。与此同时,封装方案必须具备成本效益以满足当前消费电子应用的价格目标。鉴于硅技术不断发展,封装不得不变得更轻薄、散热性能更佳、速度更快及成本更低!1引线封装市场上…     

模拟电路故障诊断的小波方法

利用小波变换与神经网络相结合的(WNT)方法,将小波作为消噪工具,对信号进行消噪和小波多尺度分解,提取特征信息。并从函数型和权值型小波神经网络中寻找最优故障辨识器,提出了模拟电路故障诊断的系统方法。本文详述了其诊断原理及诊断步骤,并给出了诊断实例。     

自相似业务下共享通道保护WDM网络性能分析

该文利用随机中点置换-分形高斯噪声(RMD-FGN)方法生成自相似业务,并且利用分层图方法来记录WDM网络状态,提出了一种链路状态描述模型。对自相似业务下55 Mesh_Torus共享通道保护WDM网络性能进行了仿真。结果表明:当业务的自相似系数或方差变大时,也就是说业务的突发程度变大时,阻塞率变大,网络的性能下降。增加单纤波长数,可以降低阻塞率,提高网络性能。     

二维CMOS风速计集成控制电路研究

一种适用于二维CMOS风速计的集成控制电路,是采用恒温差的控制模式,能同时测量风速和风向。在简单介绍了该风速计的测量原理之后。主要介绍了恒温差控制电路的电路指标。方案选择,并给出了电路结构。通过SPICE模拟并经24所制造和后续的测试,最后给出了流片的静态测试结果。从静态特性看能满足我们的测试要求,并为下一步的动态测试莫定了基础。     

PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响

通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE（Reactive Ion Etching）金属前PECVD-TEOS预淀积保护介质层的保护作用,实验结果表明此介质层没有起到足够的保护作用,反而会由于更长的等离子体工艺时间产生更严重的损伤问题。传统的电荷在硅片表面积累理论不足以解释此现象,本文从高能电子隧穿作用来分析此性能退化的原因。     

一种BiCMOS过温保护电路

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0．6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。     

低功耗的过压比较器

设计了一种内置基准门限的比较器,该电路的结构简单易于实现,且其中内置门限的温度特性和电源抑制特性好,由于不需要专门的门限产生电路且减少了从电源到地的电流支路,使静态电流不超过3uA远低于传统比较器,将此结构应用在升压DC-DC转换器中,在保证原有保护功能和控制精度的前提下,能有效地降低静态电流从而提高效率。