γ-辐照对纯Y_2SiO_5和Eu~(3+)∶Y_2SiO_5晶体光谱性能的影响

研究了γ-辐照前后纯Y2SiO5和Eu3+掺杂的Y2SiO5晶体吸收光谱的变化,辐照后,未退火和氢气退火的纯Y2SiO5晶体在260~270 nm和320 nm波段产生了附加吸收峰,分别是由F心和O-心的吸收引起的;经过空气退火的纯YSO晶体中,由于消除了氧空位,因此辐照后没有出现色心吸收峰。在Eu3+∶Y2SiO5晶体中,不但有相同的F心和O-心吸收峰,而且还有Eu2+离子在300 nm和390 nm的吸收峰。随着辐照剂量的增加,色心附加吸收峰增强。空气退火能减少Eu3+∶Y2SiO5晶体中的色心,而氢气退火能增加色心。     

用于强磁场的快响应真空规的研制进展

研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6～0.15Pa,在1×10-5～0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。     

氟代吡啶阳离子的理论研究

利用量子化学密度泛函理论B3LYP方法及 6 31G(d ,p)、6 311G(d ,p)、6 31+G(d ,p)和 6 311+G(d ,p)基组对五氟代吡啶、2 ,6 二氟代吡啶和 2 氟代吡啶分子的阳离子进行了计算研究 .B3LYP构型优化和频率分析计算结果表明这三种氟代吡啶阳离子的结构分别具有C2v、C2v和Cs 对称性 ,电子基态分别为2 A2 、2 A2 和2 A″ .对离子和分子的计算构型做了比较 .利用B3LYP方法和不同的基组对这三种阳离子及其分子进行了自然布居分析计算 .用B3LYP方法对这三种阳离子 (自由基 )中的超精细结构进行了计算 ,对五氟代吡啶、2 ,6 二氟代吡啶和2 氟代吡啶分子的垂直电离势和绝热电离势进行了计算 ,与实验值符合得很好     

含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究

 用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石（DLC）薄膜，采用离子注入法掺氮，并对掺氮DLC薄膜紫外（UV）辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明：随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加，位于2 930cm^-1附近的SP ³C-H吸收峰明显变小，而位于1 580cm^-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强，薄膜的电阻率明显呈下降趋势；随UV辐照时间的增加，位于1 078cm^-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm^-1附近的Si-C键数量明显增加。即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性。     

YBa2Cu3O7—δ高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴直流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。     

高功率横流CO2激光器脉冲预电离过程研究

本文给出了对高功率横流CO_2激光器脉冲预电离过程的理论和实验研究.表明了预电离过程中光电离的重要作用.实验结果表明,脉冲预电离可增大高功率横流CO_2.激光器的pd值(p为放电气压、d为放电间隔),增大放电区注入功率密度.对于提高此类型激光器的放电稳定性和输出激光功率是一种技术简单而有效的手段.     

电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长

报道了N+离子轰击产生的氮化硼(BN)纳米结构,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果.应当强调的是,这种类富勒烯和发夹结构的演化,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物,可以被认为是类富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段.提出了一种类富勒烯等结构的电子辐照动力学模型,并进行了讨论. 关键词： 氮化硼 电子辐照 透射电子显微镜 氮化硼纳米形成物     

导电聚苯胺在微波场中的升温特性

本文研究了微波辐照下导电聚苯胺的升温特性。研究表明 ,导电聚苯胺在微波场中具有快速升温的特点 ,升温速度与掺杂剂的种类、掺杂酸的浓度、聚苯胺的导电率、合成聚苯胺的温度等因素有关。盐酸掺杂聚苯胺热稳定性较差 ,在微波场中不能反复升温 ,而热稳定性较好的DBSA掺杂的聚苯胺具有一定的反复升温能力     

Duration-Dependent Asymmetry in Photoionization of H atoms in Few-Cycle Laser Pulses

The photoionization of H atoms irradiated by few-cycle laser pulses is studied numerically. The variations of the total ionization, the partial ionizations in opposite directions, and the corresponding asymmetry with the carrier-envelope phase in several pulse durations are obtained. We find that besides a stronger modulation on the partial ionizations, the change of pulse duration leads to a shift along carrier-envelope （CE） phase in the calculated signals. The phase shift arises from the nonlinear property of ionization and relates closely to the Coulomb attraction of the parent ion to the ionized electron. Our calculations show good agreement with the experimental observation under similar conditions.