超混沌Chen系统和超混沌Rössler系统的异结构同步

用两种不同的方法--主动控制同步法和自适应控制同步法实现超混沌Chen系统和超混沌R(o)ssler系统的异结构同步,各自设计了不同的控制器,使得响应系统与驱动系统同步.当参数已知时,采用主动控制法,方法简单有效且不需要构造Lyapunov函数,实现同步的时间短;当系统参数未知或结构不确定时,基于Lyapunov稳定性理论,给出自适应同步控制器的系统设计过程和参数自适应律,使得系统达到同步同时识别未知参数. 数值模拟验证了两种方法的有效性.     

弱(L_1,L_2)-BLD映射的正则性

本文首先将文［１］中的ＢＬＤ映射推广为弱（Ｌ１，Ｌ２）－ＢＬＤ映射，并证明了如下正则性结果：存在两个可积指数 Ｐ１＝Ｐ１（ｎ，Ｌ１，Ｌ２）＜ｎ＜ｑ１＝ｑ１（ｎ，Ｌ１，Ｌ２），使得对任意弱（Ｌ１，Ｌ２）－ＢＬＤ映射ｆ∈（Ω，Ｒｎ），都有ｆ∈（Ω，Ｒｎ），即ｆ为（Ｌ１，Ｌ２）－ＢＬＤ映射．     

纳米级自旋电子学材料取得重要进展

因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料，故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视．文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展：通过大规模系统的高精度第一原理计算，作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性，并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料，便于应用于纳米级自旋电子学器件。     

同洲电子精彩亮相CCBN2007

CCBN2007期间,同洲电子出动强大阵容以“整转互动,一步到位”为主题,展出了公司双向互动电视端到端解决方案——同洲新视通互动电视综合业务平台。在现场业务演示中,同洲产品带来的直播回放、TVOD视频点播、节目搜索、电视联网游戏、精彩回放、卡拉OK、与银行联     

ADS7822及其在CO气体浓度监测仪中的应用

在介绍TI公司的12位串行、高速、微功耗A/D转换器ADS7822工作原理的基础上,以ADS7822在CO气体浓度监测仪的前向通道设计中的应用为例,讨论了它与AT2051单片机的硬件接口问题,给出了利用ADS7822进行A/D转换的51汇编语言程序,并做了详细注释.串行、微功耗及小型封装使ADS7822非常适合电池供电的智能便携式仪器采用.     

Phase Synchronization in Electrically Coupled Different Neuronal Pacemakers with the Chay Model

We study the phase synchronization in different electrically coupled neuronal pacemakers with the Chay model. The numerical simulation results and the definition of the mean frequency show that phase synchronization is equal to the mean frequency locking. Nearly complete synchronization of different two coupled neuronal pacemakers is also investigated. It is shown that the cross-correlation of the membrane potential variables is suitable to judge the nearly complete synchronization.     

党和国家领导人珍爱珠算

我们党和国家领导人历来重视珠算的作用。1972年周恩来总理与李政道博士谈话中指出：“要告诉下面．不要把算盘丢掉、猴子吃桃子最危险”。1979年薄一波同志为《珠算》杂志创刊号题词时也指出：“算盘是我国的传统计算工具。一千多年以来在金融贸易和人民生活等方面起了重要作用。用算与与用电子计算札并不矛盾。现在还应充分发挥算盘的功能．为我国经济建没事业服务。”《珠算》杂志1980年第一期刊登了“陈云同志在杭州打算盘”的照片。     

电子镇流器优化设计要点

本基于电子镇流器的工作原理。结合对高功率因数．低谐波电路的研究。异常工作状态保护电路的研究，灯丝预热启动电路的研究及EMI滤波器电路等一系列的研究分析。提出电子镇流器优化设计要点。有利于电子镇流器生产厂家的规范化设计。     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.