非水平分层介质磁偶极场的精确解

两种物性不同的媒质以形状任意的光滑旋转面作为分界面,在分界面上放置通有交变电流的半径甚小于波长的小线圈。本文给出该系统下全空间电磁场场量的精确表达式。     

有限元法应用于微波和光波器件的问题和发展

本文就有限元法应用于微波和光波器件的原理、问题和最新进展作了综合评述。文中讨论了适用于不同问题的变分公式的意义；着重讨论了避免和消除虚模的方法和处理开放边界的技术；还对代表该领域发展趋势的三个方面，即边棱元法。非线性结构及有限元程序的前后处理问题进行了评论和展望。     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型，并且应用该模型，对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关，采用全波分析方法，进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级，而驱动电压高达40～60V，这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示，开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示，耦舍到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真。     

大耦合孔同轴输出腔的3维解析分析

 在高功率微波器件中，通常采用大耦合孔的同轴微波输出腔，该腔为3维结构。采用场等效原理将腔体、耦合孔及其输出负载(行波边界)进行分区,每个区域中的场由界面上的磁流密度决定。采用格林函数积分法可得每个区域中的3维场,再由各个区域的场匹配方程求得腔体的谐振频率、特性阻抗、有载品质因数、模式分布等参数。为腔体的计算和设计提供一种计算模型。     

单腔并行双器件功率合成理论与实验研究

本文对一种毫米波单腔并行双器件功率合成器进行了理论和实验研究。分析并计算了矩形波导腔内两只并行振荡器件的外电路阻抗,给出了一些对设计、开发该功率合成器非常有用的数值结果。在36.0GHz频率附近,单腔并行双Gunn器件功率合成器的实验结果为:合成输出功率约400mW,合成效率高于95.5％,大于100mW输出的机械调谐带宽近1.5GHz。     

高压架空输电线路及变电站对广播电视中心台干扰与影响的研究（上）

高压架空输电线路及变电站对中心台所产生干扰的形式，分析这种干扰对中心台的影响，提出了中心台在抗电力线及变电站干扰的一些意见和建议，作为处理类似问题时的参考。     

一维半导体的光学吸收

研究一维半导体在外电磁场中的光吸收、涉及电子带间的直接跃迁与间接跃迁，考虑了电子－空穴相互作用的激子光吸收，导出一维半导体的光吸收系数公式。     

电磁场课程思政建设的探索与思考

挖掘电磁场课程中的思政元素并融入到教学过程中,使学生在学习知识的同时接受思政教育。通过将马克思主义哲学思想应用到对电磁现象认识过程的分析中,提高同学们对电磁场的认识和对马克思主义的哲学思想的深入理解。通过对我国相关工程成就的介绍及将素质教育与课程相结合,帮助学生理解抽象知识的工程应用,提升学生的思想道德水平、专业素养及民族自信心。课程思政取得了好的效果。