高层建筑无水箱直连供暖系统研究

针对高层建筑双水箱分层供暖系统，提出了一种旨在取消双水箱的无水箱系统。并解决了高层建筑供暖设计中的两个技术难点—水静压力问题和垂直失调问题。高层建筑供暖设计中，常常会遇到棘手的热水采暖系统与低温供暖热网的连接问题：静水压力高不能采用直连；热网供水温度低又无法采用隔绝式连接。目前采用的所谓双水箱系统，正是为此应运而生。但是，双水箱及其派生系统，尚有许多不尽如人意之处，而且，也难以适应众多急剧增长的各类高层建筑供暖系统的需要。显然，探索更多的高层建筑供暖系统形式将是十分必要的。     

CMOS集成电路的电热耦合效应及其模拟研究

文章基于集成电路具体的封装结构提出了它的热学分析模型。针对均匀温度分布的集成电路,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件Etsim,并研究分析了温度对集成电路性能和功耗的影响。     

磁压缩等离子体电热炮

 电热炮（ｅｌｅｃｔｒｏｔｈｅｒｍａｌｇｕｎ）是全部或部分地利用电能加热工质来推进弹丸的发射装置。一般地说,电热发射有两个含义：一是利用特定的高功率脉冲电源向某些工质放电,把工质加热而转变成等离子体状态,利用含有热能和动能的等离子体直接推进弹丸运动;二是利用加热产生的等离子体再去加热其他更多质量的低分子量的轻工质,使其化学反应变成热气体（含有少量等离子体）,借助这些热气体的热膨胀做功来推进弹丸。磁压缩等离子体电热炮是一种以炸药能量驱动的电磁“火炮”．它把化学能转变成磁能,然后利用磁能压缩等离子体推进弹丸前进。     

乙酰丙酮在低温电热蒸发ICP-AES中的化学改进作用机理研究

近年来 ,低温蒸发技术的研究和应用引起了人们的重视 [1～ 3 ] .我们 [4]曾报道应用乙酰丙酮试剂作化学改进剂 ,于石墨管中低温 (～ 75 0℃ )蒸发铍的乙酰丙酮螯合物的 ETV-ICP-AES法 ,并用于人发中痕量铍的测定 .本文从机理上探讨了待测物 (铍或铬 )在石墨管中的蒸发及传输形式 ;研究了相应的乙酰丙酮螯合物的生成条件及主要影响因素 ;在此基础上得出在低温蒸发条件下相应的规律 .1　实验部分1.1　仪器装置　所用的 ICP-AES仪器、电热蒸发装置及它们之间的连接与文献 [1,4]相同 .紫外 -可见分光光度计 (日本岛津 UV-2 0 0 0 ) ,仪器…     

纳米TiO2材料分离富集、悬浮体进样氟化辅助ETV-ICP-AES直接分析痕量稀土元素

以纳米TiO₂为吸附材料分离富集了稀土离子Y,Yb,Eu,La,Dy,Tm,Sm,Ho,Nd和Pr,研究了其吸附性能,并将吸附于纳米TiO₂上的稀土离子直接制成悬浮体,用氟化辅助电热蒸发等离子体原子发射光谱(FETV-ICP-AES)进行检测,考察了上述稀土离子的蒸发行为.结果表明,基体元素可与待测物在灰化阶段完全分离,在优化的实验条件下,检出限和RSD结果均与文献值基本一致.     

悬浮体进样/氟化电热蒸发(ETV)/ICP-AES直接测定二氧化钛粉末中痕量钇

以聚四氟乙烯(PTFE)悬浮体为氟化剂,悬浮体制样/氟化辅助电热蒸发(ETV)/ICP-AES直接测定TiO₂陶瓷粉末中痕量杂质钇;考察了影响基体和待测元素的蒸发过程的各种因素;对比研究了待测元素和基体的氟化蒸发行为;实现了基体和待测元素的预分离,显着降低了基体效应。本法的检出限为0.26μg/L,相对偏差为3.8%(n=5,c=0.5mg/L).     

CMOS集成电路的自热效应和均匀温度分布的电热耦合模拟

集成电路实际是由相互耦合的电学子系统和热学子系统共同组成。本文基于具体的封装结构提出集成电路的热学分析模型,分析了温度对集成电路性能和功耗的影响。并且针对均匀温度分布的集成电路,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件ＥＴｓｉｍ。     

电热石墨消解ICP-OES测定土壤中铜锌镍铬

采用电热石墨消解仪消解土壤样品,以电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定土壤样品中铜、锌、镍、铬4种元素。分别从消解液的种类、用量及样品消解量等方面进行实验条件的优化,确定了一个最适合土壤消解的前处理过程。各元素的检出限为Cu 0.54 mg/kg,Cr 0.42 mg/kg,Zn 0.62 mg/kg,Ni 0.58 mg/kg,回收率为96.5%～104.0%,测定结果的相对标准偏差为0.7%～2.1%(n=7)。     

多级PIN限幅器高功率微波效应研究

基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。