RF MEMS电感的研究与进展

无线通信的迅速发展,对高性能电感有迫切的需要。本文介绍了目前电感的发展状况,包括表面螺旋电感、垂直平面螺旋电感、悬浮螺旋电感和螺线管电感。对各种电感的性能进行了比较,讨论了电感设计所需考虑的问题及相关因素,对各种电感的加工工艺作了介绍。总结了各种电感的品种因数。     

单晶硅电火花铣削维持电压测定及蚀除机理研究

提出一种以电火花放电加工技术对半导体硅材料进行铣削加工的方法,建立了半导体放电加工电路模型,测量了半导体放电加工放电通道的维持电压,其值为18V.在此基础上,从放电能量和ANSYS仿真两个方面对单晶硅电火花铣削的蚀除机理进行了研究.通过单位能量蚀除量的计算,并与45钢比较,得出单位能量单晶硅的蚀除量是45钢的4倍,由此提出了单晶硅蚀除是热蚀除和热应力剥落综合作用的结果;通过仿真分别计算出单脉冲放电温度场和热应力场的蚀除量,其热应力剥落是热蚀除的4.6倍,与基于能量计算的分析结果基本吻合.最后实验验证了分析结果的正确性.     

基于整形飞秒激光脉冲的三维微纳制备

飞秒激光脉冲加工具有热效应小、加工精度突破衍射极限、三维内部加工能力等特性,在微纳制备领域独具优势。综述了利用飞秒激光脉冲整形技术结合飞秒激光三维直写进行透明介质中微纳制备的最新进展,这些技术有望在新型集成光学和微纳光学中发挥重要的作用。     

火花放电电极结构及其等离子体反应器

在阐述火花放电机制与等离子体特性基础上,着重探讨了火花放电的电极结构与等离子体反应器。新研制的电极旋转的新型 kHz 交流火花放电反应器,在甲烷裂解制乙炔和甲烷与二氧化碳重整制合成气应用研究中,其放电稳定性、反应物转化率、产物浓度和能量效率等指标,均明显优于其它放电反应器。     

飞秒激光微加工中轴向超分辨相位板的设计及仿真

为了提高激光微加工质量,对激光焦斑进行整形,采用菲涅尔衍射公式进行了理论分析,基于遗传算法和设计约束条件通过Matlab设计了两种二元相位元件,0 结构四环相位板的归一化半径尺寸r1=0.15、r2=0.70、r3=0.81,非0 结构四环相位板的归一化半径尺寸为r1=0.25、r2=0.498、r3=0.652,从内到外各环对应的相位为2.879、3.087、0、3.012,采用这两种位相板调制后的纵向光斑大小可压缩至艾丽斑的76%和75%,峰值能量比分别为0.39和0.42,旁瓣能量分别为0.64和0.41,这两种相位板均可应用于飞秒激光微加工。     

多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现

介绍了以SiO₂ /Si₃N₄ /SiO₂ 为绝缘层的夹层结构Spindt阴极并探索了两种工艺实验方法。将干法和湿法腐蚀相结合实现了侧壁崎岖的绝缘层空腔。通过精确调节绝缘层干法刻蚀时间,结合N-甲基吡咯烷酮和等离子体去胶的工艺,解决了光刻胶变性难以去除的问题。在扫描电子显微镜下观察到顶层SiO₂直径3.8μm、底层SiO₂直径2μm、中间层Si₃N₄和自对准钼栅孔直径1.1μm、尖锥高度1.1μm的冷阴极结构形貌。研究表明,这种崎岖的侧壁能够在测试时阻断沿路放电,在大电压下能够缓解电弧放电现象,降低冷阴极的损坏。     

硅微尖锥冷阴极微加工及其场发射器件物理

片上集成驱动控制电极的硅微尖锥是一类重要的场致电子发射阴极(冷阴极),具有驱动电压低、集成度高、加工流程与集成电路工艺兼容的特点,在微型化真空电子器件上具有应用潜力。本文介绍片上集成硅微尖锥冷阴极关键微纳加工方法及原理,分析硅微尖锥冷阴极场发射器件物理,展望硅微尖锥冷阴极的应用前景。     

激光微加工磁盘——激光毛化技术现状与发展

介绍了激光精密微加工在磁盘工业中的应用之一——激光双面毛化金属和非金属磁盘基体。并介绍了该技术与传统技术之间的差异、应用目的、基本工作原理、作用机理以及应用现状和未来发展。该技术采用Nd:YVO4或CO2激光器输出高频率、短脉冲的激光束作用在磁盘基体靠内圆处的表面上,改变其表面的微观形貌,形成大量离散分布的微突起圆点,为磁头提供精确的停放/起动区域。该技术目前已成功地运用在硬盘制造业生产中。     

基于MEMS工艺的微型制冷器

微机电系统MEMS(micro-electro-mechanical system)是一种集合了微电子与机械工程技术的新型高科技装置,其制造工艺可以进行最小至纳米尺度的加工以及高度集成化的微型制造.其产品微小体积、高度集成化以及高性能高产热的特性也决定了其需要匹配相应的制冷解决方案,本文重点阐述了基于MEMS制造工艺并...     

薄膜热电堆(Cu/Cu55Ni45)热流传感器的制备工艺及性能研究

本文首先通过磁控溅射技术在单晶Si和Al₂O₃陶瓷衬底上分别依次沉积厚度为600 nm的Cu和Cu55Ni45薄膜,然后使用微加工技术在10 mm×10 mm的衬底区域内制备了200对串联的热电偶组成薄膜热电堆结构,最后采用反应溅射联合硬掩膜沉积了不同厚度的氧化铝热阻层,使串联的热电偶分别产生冷端和热端。根据Seebeck效应,在热流的作用下薄膜热电堆冷热两端的温差使传感器输出热电信号,实现对热流密度的测量。通过对薄膜热电堆的表征与标定,结果表明：沉积在Si衬底与Al₂O₃陶瓷衬底上的Cu/Cu55Ni45热电堆中,Cu膜粗糙度分别为20和60 nm, Cu55Ni45膜粗糙度分别为15和20 nm,电阻分别为38.2Ω和2.83 kΩ,灵敏度分别为0.069 45和0.026 97 mV/(kW·m^-2)。具有不同表面粗糙度的单晶Si衬底与Al₂O₃陶瓷衬底会影响在其表面沉积的Cu/Cu55Ni45热电堆表面粗糙度,进而导致薄膜热电...