有源电力滤波器谐波补偿的Simulink仿真分析

系统介绍了有源电力滤波器的理论基础、电路组成、控制方法等,并利用Simulink仿真工具箱建立了三相四线制系统下有源电力滤波器模型,仿真结果表明,该方案具有较好的谐波补偿效果。     

短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型

在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。     

氧化锌在ITO导电玻璃上电沉积生长过程研究

采用恒电流电解法,以0.1mol/LNH4NO3、0.01mol/LZn(CH3COO)2水溶液为电解液,成功将ZnO电沉积于ITO导电玻璃的表面。利用扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO晶核在ITO导电玻璃表面上的生长过程,对其生长取向、排列方式及微观形貌等方面发生的一系列变化的规律进行了研究和讨论。利用X射线衍射分析(XRD)研究了电沉积时间对ZnO结晶性的影响。结果表明:ZnO在ITO导电玻璃上的电沉积过程,经历了晶核生成、增长成片、片状组合、定向排列、团聚成花、团聚成块等连续过程;随着沉积时间的增长,沉积厚度增加,使得ZnO晶体的结晶性变差。     

一种高可靠同步整流变换器的反向电流控制电路

在成本与环保问题的强烈推动下,对功率变换器的轻载效率要求不断提高,需要在轻载下进行低功耗设计.同步整流变换器在轻载下会产生反向电流,而反向电流控制电路是提升轻载效率的有效手段.传统的反向电流控制电路需要电流采样,或者特定的控制芯片实现,不具备高可靠、低成本的特点.因此针对高可靠应用,提出了一种新型反向电流控制电路,仅需要少量元器件以及通用PWM控制器即可实现轻载反向电流的阻断.首先,对轻载下反向电流的产生机理进行了阐述,得到反向电流主要流过同步续流管的结论.其次,详细介绍了提出电路的工作原理,推导了关键参数的表达式,并进行仿真.最后,将该电路应用于一款100 W的正激同步整流变换器中,并进行参数设计.测试结果显示,应用该电路的样机可以实现全输入电压范围下的反向电流控制,轻载效率提升了约10%-20%,空载电流降低了87%,输出电压的负载瞬态与负载调整率基本不受影响.     

一种基于电流反馈放大器的新的通用滤波器

本文介绍了电流反馈放大器（CFA）的基本原理,用四个CFA和几个电阻、电容设计了一种三输入单输出的新的通用滤波器。这种滤波器在无需电阻电容匹配的情况下,能实现二阶的低通、带通、高通、带阻以及全通五种滤波功能。每种滤波功能的特征角频率ω0都能由接地电容调节,而品质因数Q可由接地电阻单独调节。该滤波器对有源和无源元件的灵敏度都不超过1。利用PSPICE软件对电路图进行了仿真,仿真结果与理论分析一致。     

一种双向的微电流检测电路

在纳米孔测序技术中,单个DNA分子被逐一驱动穿过纳米孔,并产生一个阻断电流,这个阻断电流被识别并转化为DNA序列,从而实现测序。由于阻断电流非常小,只有0～100 p A,因此需要一种高精度的微电流检测电路来识别它。为了解决这个问题,设计了一款具有双向、低噪声和小面积特性的电流检测电路,利用仿真工具对检测电路各部分进行噪声模拟和量化,降低了检测电路的噪声,提高了测序精度,同时优化检测电路的面积和功耗,提高了集成度和能效比。对比同类产品,该检测电路在精度、稳定性和通量等方面具有明显的优势。基于180 nm工艺平台,流片后的测试结果表明,该电流检测电路的检测范围为0～100 p A,精度小于3.2 p A,面积仅为80μm²,功耗为1.5μW,能够在两个方向上进行电流的检测。     

直流断路器临界负载电流分断特性的研究

是否能够可靠地分断临界负载电流是衡量直流断路器性能的一个重要指标.按照直流断路器相关标准中规定的试验电流制定了试验方案,对分断不同试验电流产生的过电压和燃弧时间进行分析,总结了过电压和燃弧时间的变化规律,为低压直流断路器生产制造提供参考.     

温度对碲镉汞光伏芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.