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951.
提出了一种基于多输出端口电流控制电流传输器(MOCCCII,multiple outputs current controlled conveyor)的双模式二阶通用滤波器,该滤波器结构简单,仅由5个有源器件、2个接地电容构成, 无须外接电阻.该电路在不改变内部电路结构的情况下能实现电压模式和电流模式滤波器,且每一种工作模式都能实现高通、低通、带通等多种滤波功能,因此该电路具有通用性.面向实际电路完成了PSPICE仿真,结果表明提出的电路正确有效. 相似文献
952.
1310nm波长的光发射机,一般都采用直接强度调制技术,其核心部件是DFB激光器组件,此外还有电源、激光器偏置电路、激光器慢启动电路、失真补偿及驱动电路、功率控制及致冷控制电路、过载保护及过驱动保护电路、光检测电路等。在直接调制光发射机中,射频信号经过RF放大、电控衰减和预失真补偿后,直接驱动激光器,使得光输出强度随着射频信号强度的变化而变化。为保证激光器能稳定工作,ATC是必需的,一般把激光器管芯的温度控制在25℃。激光器的发光功率和非线性失真依赖于偏置电流,因此偏流控制与预失真补偿是光发射机中的关键部件。光发射机的载噪比和非线性失真指标取决于光调制度,因此光调制度的自动控制也是优良的光发射机所必需的。 相似文献
953.
由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题.根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电(ESD)、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力(EOS)能力的量化检测方法.针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法.以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p+保护环结深、p+结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法.提出了一种p+-p-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性. 相似文献
954.
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958.
高凯仑叶焱谢晋雄刘太君许高明 《微波学报》2019,35(4):42-46
使用GaN HEMT 功率器件,设计了一款5G 低频段的高效率E-1 / F 类射频功率放大器。为降低晶体管寄生参数及高次谐波对逆E 类(E-1 )功放开关特性和输出性能的不良影响,将具有寄生参数补偿的逆F 类(F-1 )谐波控制网络引入逆E 类功放输出匹配电路中,实现了对二次谐波和三次谐波分别进行开路和短路处理,从而获得逆E 类功放要求的良好开关特性。同时,得益于逆F 类功放优良的谐波控制效果,改善了功放漏极电压和电流波形,大大降低其漏极峰值电压和电流,进而提升了功放的输出性能。实测结果表明,该功放在3. 3 ~ 3. 6 GHz 的300MHz 有效工作带宽内的功率附加效率为59. 1% ~ 71. 4%,最大漏极效率高达75. 6%,输出功率在40. 2 ~ 41. 5dBm之间,增益平坦度在依1dB 以内。最后利用20 MHz 带宽的单载波LTE 信号作为测试信号,基于广义记忆多项式数字预失真器对该功放进行线性化后,功放输出的邻信道功率比改善了近15 dB。 相似文献
959.
提出一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术.这种技术可以同时取消误差电流中的常数项和信号关联项.在相同工艺条件下的HSPICE仿真结果表明:文中提出的时钟馈通补偿技术的开关电流存储单元与基本的开关电流存储单元相比,误差电流减小了100倍. 相似文献
960.
变压器差动保护受励磁涌流的影响,针对这一因素,该文提出一种基于小波变换的变压器励磁涌流识别新方法。首先分析了单相变压器励磁涌流的产生机理,其次使用MATLAB提供的电力系统工具箱PSB建立励磁涌流与区内故障电流的仿真模型,并脂db5小波对电流信号进行3尺度分解,仿真结果表明,小波变换系数能准确反应励磁涌流波彤的突变,最后根据仿真结果提出一个励磁涌流识别判据。 相似文献