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In present work, a hetero-junction of n-silicon (n-Si) with copper phthalocyanine (CuPc) has been fabricated. The current-voltage characteristics were investigated to explain the rectification and conduction mechanism. The effect of temperature and humidity on electrical properties of n-Si/CuPc hetero-junction has also been investigated. The characteristics of the junction have been observed to be temperature and humidity dependent so it is suggested that this junction can be used as temperature and humidity sensor. 相似文献
944.
中国地区人工加热电离层产生的极低频电流预测 总被引:5,自引:0,他引:5
文中用实际的电离层参数,具体地估算了在典型发射条件下,极低频脉冲调制的高频电波加热北京、上海、海口上空电离层所能产生的极低频电流强度。计算的出发点是电子的能量方程,运用迭代法对处理脉冲调制问题作了改进。用此算法同时研究了典型中纬度电离层的加热特性并与以往对高纬度的结果进行了比较。 相似文献
945.
基于CCCII的电流模式多功能双二次滤波器 总被引:18,自引:1,他引:18
该文提出了由电流控制传输器(CCCⅡ)实现的新型电流模式多功能双二次滤波器,该滤波器由CCCⅡ和两个接地电容构成,电路具有以下特点:可实现多种滤波功能;易于集成;能独立地调节0和Q,且灵敏度较低。 相似文献
946.
针对一类新的混沌系统--Nadolschi混沌系统,提出一种新的模糊镇定控制方法.该方法首先利用T-S模糊模型对Nadolschi混沌系统进行精确描述,在此T-S模糊模型的基础上,基于并行分布补偿(PDC)技术和精确线性化(EL)理论设计模糊状态反馈控制器来镇定Nadolschi混沌系统,并且利用线性系统理论证明了闭环系统的渐近稳定性.仿真结果表明,设计的控制器能够快速有效地将Nadolschi混沌系统的混沌时间轨迹渐近镇定到其零平衡点,且控制简单可靠.该方法可以进一步推广到其他混沌(超混沌)系统的控制问题中. 相似文献
947.
电流模带隙基准源(CMBGR)在低电源电压电路中得到广泛的应用,但其启动行为仍值得关注。在启动电路不可靠的情况下,CMBGR会导致芯片失效,使得成品率下降。在分析CMBGR的启动和多个工作点问题后,提出一种只有两个稳定工作点的CMBGR,可通过监测电路状态和控制启动电路的充电来解决简并点问题。采用0.13 μm CMOS工艺,对提出的GMBGR电路进行设计与仿真。仿真结果表明,该电路产生的参考电压小于1.25 V,在-25 ℃~125 ℃之间的温度系数为4.7×10-6/℃,具有良好的启动性能。 相似文献
948.
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电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100μA到100mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz 相似文献