功率肖特基二极管反向EOS量化检测及改善

由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题.根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电(ESD)、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力(EOS)能力的量化检测方法.针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法.以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p+保护环结深、p+结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法.提出了一种p+-p-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性.     

一种闭环控制的光纤光栅动态色散补偿仪

利用啁啾光纤光栅的应变调谐特性，将色散补偿的啁啾光纤光栅斜贴于悬臂梁的侧面，通过应力实现啁啾量调整而改变其色散补偿量的大小，同时利用固定在同一悬臂梁的均匀布拉格光栅传感器，实现了闭环自动控制色散补偿量，研制出了一种新型的光纤光栅动态色散补偿仪。该色散补偿仪工作在1550nm波段，典型性能数据为：色散动态补偿范围-1000-1680ps／nm，插入损耗小于1．5dB，动态调谐步进响应时间小于50ms，基本上能满足10Gb／s光纤通信系统中色散动态补偿的要求。     

聚焦光束稳态热晕补偿实验

进行了聚焦光束稳态热晕效应及自适应光学补偿的室内模拟实验观测，获得了在不同热畸变参数情况下，自适应光学系统开闭环时光束远场Strehl比和信标光波前方差的测量结果。测量结果表明自适应光学对聚焦光束整束热晕的补偿效果是显著的。在热畸变参数Nd大于170时，校正剩余波前大差呈非线性增长。在热畸变参数N_d与光束菲涅耳数N_f的比值大于1时，校正后的远场光斑峰值强度随入射功率的增加开始呈下降趋势。     

双调Q开关热退偏补偿全固态激光器

为了有效地补偿激光二极管(LD)侧向抽运1000 Hz重复率电光调QNd:YAG激光器棒状增益介质内存在的热致双折射损耗,设计了一种新颖的双调Q晶体开关复合谐振腔结构。实验结果表明,设计的双调Q晶体开关结构Nd:YAG激光器输出激光脉冲能量比单调Q晶体开关结构的非补偿腔输出能量提高了56％,当侧面抽运半导体激光器输出功率达到450 W时,激光输出达到30 mJ/pulse,输出光束偏振度优于10:1,激光脉冲宽度约14 ns。并获得6．7％的光一光转换效率。通过对双调Q开光激光谐振腔进行建模,并用求解速率方程对其特性进行理论分析,所得的计算结果与实验结果基本吻合。     

运放电路中负载变化对输出特性的影响

运用OrCAD/PSpice软件仿真,针对通用型运放μA741电路输出失真这个问题,重点讨论了负载变化对输出特性是如何影响的。通过引入运放的额定最大输出电流值这个概念,最终得出运放线性与非线性状态的临界电阻通用计算公式,并在文章结尾进行了总结。     

温度对空间薄膜反射镜成形影响

空间薄膜反射镜属于未来空间超大、超轻的反射镜,可以有效减少发射质量和装载体积.环境温度变化将影响薄膜反射镜的焦距和面形.利用有限元软件建立温度对薄膜反射镜成形影响的计算模型,分析了均匀温度变化、径向温度梯度、周向温度梯度3种形式下薄膜反射镜面形变化.以口径φ300 mm的静电拉伸薄膜反射镜为实验平台,针对均匀温度变化情...     

高速复制系统磁头磨损的电路补偿

本文介绍了ＤＰ－８０型高速磁带复制系统解决磁头磨损引起高频损失的电路补偿方法,分析了高频损失对频响指标的影响原因,提出了解决方法。该方法通过电路补偿,高频段增益可增加１０ｄｂ以上,效果较好,且对其它指标无不良影响。     

色散补偿技术在1550nm模拟CATV长途传输系统中应用的研究

色散因素是制约1550nm模拟CATV系统无电中继传输距离的主要因素,本文提出利用已经商用化的色散补偿器件对长距离普通光纤CATV模拟传输系统中的色散进行补偿,并对比了色散补偿光纤和啁啾光纤光栅进行色散补偿的优缺点,同时文章给出了光纤光栅进行色散补偿的最佳位置。模拟系统采用皮长传输,采用啁啾光纤光栅实现对模拟信号的色散补偿可以充分发挥啁啾光纤光栅的低损耗的特性和对单波长进行补偿的特性,本文在国内首次提出采用啁啾光纤光栅（CFG）对1550nmCATV模拟系统长距离光纤传输进行了散补偿,并引用试验证明采用光纤光栅在保证较好载噪比（C／N）和三阶差拍失真（CTB）指标的情况下,能够大幅度地补偿二阶组合失真（CSO）的恶化。     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在