一种电流引线的热力学计算方法

从超导磁体气冷电流引线的热平衡方程出发,对电流引线进行分段,提出了一种较为精确计算电流引线长横比及由电流引线末端流入低温容器热量的计算方法;电流引线中氦气流阻是设计电流引线时一个很重要的参数,由于电流引线片形状很复杂,计算其中氦气流阻比较好的方法是采用CFD软件Fluent。氦气模型单元数很庞大,因此对氦气模型进行了简化和分段,相邻两段模型间采用流量和压力边界条件进行耦合。     

一个新的IEC61000-4-2标准ESD电流解析表达式

分析了两个ESD标准电流波形表达式,并提出一个新的基于脉冲函数来描述ESD标准电流的解析表达式,该表达式符合最新的标准IEC61000-4-2,在零时刻的电流及其微分部为0,且波形与实际测量波形基本吻合。     

美国国家半导体SIMPLE SWITCHER易电源系列新增12款低电磁干扰电源模块

美国国家半导体（National Semiconductor）宣布推出12款全新的SIMPLE SWITCHER易电源电源模块,这些模块是市场上首批可输出高达10A的输出电流．并符合CISPR22（B类）标准有关辐射和传导性电磁干扰方面相关规定的电源产品．适用于工业产品和通信网络基建设施等应用。     

飞兆半导体推出Generation Ⅱ XS DrMOS器件

高效率、大电流处理能力和小外形尺寸是电源设计人员选择用于电压调节器解决方案的组件的至关重要的因素,为了满足这一需求,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild）开发出一系列GenerationⅡ XS DrMOS（集成式驱动器＋MOSFET）器件,这些器件能够提供高效率和高功率密度,可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。     

德州仪器推出最高效率的最小型6A降压SWIFT DC/DC转换器

日前,德州仪器（TI）宣布推出一款具有业界最小外形、最高效率的最新6A转换器,进一步丰富了其深受欢迎的SWIFT系列电源管理集成电路。最新TPS54618单片同步开关具有两个集成型12mΩ FET,可为用于DSP及FPGA通信、测试以及医疗设备的2.95V～6V负载点设计方案实现95%的高效率以及低工作电流。     

先进的锂离子电池系统充电管理和保护

许多便携式设备选择锂离子(Li-Ion)化学电池作为其电池技术已经变得十分普遍。在要求的充电算法方面,这种化学电池已为人们所熟知,市场上有许多充电管理集成电路(IC),而其颇具竞争力的低成本又推动它在更多应用中使用。现在,电源、充电IC产品和系统架构种类繁多,工程师们忙于挑选合适的充电和充电保护拓扑结构。本文介绍了获得最大安全性、可靠性和系统性能的一些重要的系统保护方法和先进充电管理。     

沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响

采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳球和呈花瓣状的疏松结构。在合适的沉积温度下,SiC薄膜的致密性和平整度较好,且其具有较好的附着力和一定的强度,而这样的SiC薄膜可以阻止在金刚石涂层沉积过程中硬质合金中含有的Co对金刚石相沉积过程的有害作用。     

Environmental Impacts on Spiking Properties in Hodgkin-Huxley Neuron with Direct Current Stimulus

Based on the well accepted Hodgkin-Huxley neuron model, the neuronal intrinsic excitability is studied when the neuron is subject to varying environmental temperatures, the typical impact for its regulating ways. With computer simulation, it is found that altering environmental temperature can improve or inhibit the neuronal intrinsic excitability so as to influence the neuronal spiking properties. The impacts from environmental factors can be understood that,the neuronal spiking threshold is essentially influenced by the fluctuations in the environment. With the environmental temperature varying, burst spiking is realized for the neuronal membrane voltage because of the environment-dependent spiking threshold. This burst induced by changes in spiking threshold is different from that excited by input currents or other stimulus.     

有源电力滤波器谐波补偿的Simulink仿真分析

系统介绍了有源电力滤波器的理论基础、电路组成、控制方法等,并利用Simulink仿真工具箱建立了三相四线制系统下有源电力滤波器模型,仿真结果表明,该方案具有较好的谐波补偿效果。     

短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型

在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。利用Atlas对具有不同结构参数的器件进行了模拟研究和比较分析。结果表明,基于解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了所建模型的准确性,为设计和应用此类新型器件提供了理论基础。