Te溶剂Bridgman法CdMnTe晶体核辐射探测器的制备和表征

碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd_0.9Mn_0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对²⁴¹Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×10¹⁰ Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对²⁴¹Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10^-3 cm²/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。     

基于改进线性插值的星点定位方法

天文导航中星点的定位精度至关重要,会影响天文导航的精度.传统的基于线性插值的星图分辨率提高方法是直接利用线性关系来计算插入的灰度值,但忽略了原函数自身的变化特征.针对星点的成像特征,提出了一种基于改进线性插值的星点定位方法.首先建立星点的成像模型并推导出一维模型,求取二阶导数以获得凹凸分界点,然后给出改进线性插值的权值...     

Pyrene分子(小片石墨晶体)的电子传导特性

利用量子理论中基于Green函数的tight-binding方法,对pyrene分子的电子传导和电子流分布进行了理论研究。在考虑到界面耦合和Hopping积分的情况下,得出了电子透射谱和流分布的模拟结果。结果显示透射与电子的能量紧密相关;谱的振荡特征是能级量子化的结果;流分布有着特定的方向,并且在每一个原子点上符合Kirchhoff量子流守恒定律。另外还发现了桥接pyrene分子的正负能开关特性。     

电流舵数模转换器的静态误差分析与建模

高分辨率的电流舵数模转换器（DAC）是电流源晶体管匹配特性设计的关键问题之一。获取晶体管匹配特性的常用方法是蒙特卡罗仿真,这种方法既耗时,又依赖于CPU的性能,设计效率低。针对电流舵DAC的静态失配进行了理论分析和公式推导,根据静态失配的特点,基于MATLAB构建电流舵DAC的静态误差模型,用于评估电流源管随机失配对DAC积分非线性良率的影响。该方法具有高精确度、高效率的特点。     

基于双极型晶体管的温度传感器

提出了一种基于双极型晶体管（BJT）宽温度范围的温度传感器。该温度传感器电路通过两个温度特性互补的电流产生一个高斜率的电压,采用电流增益补偿技术和斩波稳定技术来提高传感器输出电压的线性度,同时可通过合理调节电阻值和电流镜比例获得不同的输出电压。在0.18μm HVCMOS工艺下对传感器进行仿真,结果表明,在-55～125℃的温度范围内,温度传感器的温度系数为11.2 m V/℃,误差在-0.8～0.8℃。     

低DCR检测电流模式控制器比电压模式控制器有更多优势

新一代微处理器和DSP需要以更低的工作电压提供更大的电流,因此电流检测元件的电阻需要尽可能小,以最大限度地降低电源传导损耗。然而,低电阻电流检测元件产生的斜坡电压较低,这在使用电流模式控制器时,不利于稳定运行。低斜坡电压导致采用电流模式控制方法的开关电源有显著抖动,在很多应用中,开关电源可能变得不稳定。因此,通常由电压模式控制器取而代之,尽管电压模式控制器也有不足之处,并可能出现可靠性问题。本文提出了一种新的电流模式双输出DC/DC降压型控制器,解决了此问题。     

基于半导体激光器的信号有限时同步传输技术

针对电流调制半导体激光器的信号有限时同步传输问题设计了技术方案.文章首先对电流调制半导体激光器的特性进行了理论分析.在此基础上,利用滑模控制方法设计了独特的滑模面和滑模控制器,完成了电流调制半导体激光器对目标信号的有限时同步传输.研究结果表明,该项技术不但能够保证电流调制半导体激光器在有限的时间内完成对目标信号的同步传...     

SiN钝化前的NF3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

研究了SiN钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对AlGaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的AlGaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受影响.微波功率测试表明,经过6min NF3等离子体处理的AIGaN/GaN HEMT在2GHz,30V工作电压下达到6.15W/mm的输出功率密度,而未经过处理的器件只达到1.82W/mm的输出功率密度.     

Spin Transport in a Rashba Ring-Quantum Dot System Pumped by Microwave Fields

We report a theoretical study on producing electrically spin-polarized current in the Rashba ring with parallel double dots embedded, which are subject to two time-dependent microwave fields. By means of the Keldysh Green's function method, we present an analytic result of the pumped current at adiabatic limit and demonstrate that the interplay between the quantum pumping effectand spin-dependent quantum interference can lead to an arbitrarily controllable spin-polarized current in the device. The magnitude and direction of the charge and spin current can be effectively modulated by system parameters such as the pumping phase difference, Rashba precession phase, and the dynamic phase difference of electron traveling in two arms of ring; moreover, thespin-polarization degree of the charge current can also be tuned in the range [-∞, +∞]. Our findings may shed light on the all-electric way to produce the controllable spin-polarized charge current in the field of spintronics.