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991.
本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
992.
TCF792是单、三相通用数字相位控制触发电路.它采用单相同步信号输入,数字分频移相120°,以适应三相触发电路.触发角2-178°,可选择矩形波或调制波输出.脉冲宽度采用电压控制,无需移相电容.在电路功能上全面兼容TC787,TC788,TC790A,TC790B,TCA785,KJ004,KJ041,KJ04等几乎所有种类的单、三相移相触发电路且价格低廉.该芯片移相角可选择传统的锯齿型线性输出或余弦函数输出两种方式.当采用余弦函数输出时,它的整流输出电压与控制电压成线形关系.该芯片可用于可控硅、双向可控硅和晶体管类控制电路.它可用于交直流转换Q电路、交流控制和三相电流控制器.它具有价廉、易用、性能优良、无需调试的优点. 相似文献
993.
994.
995.
论述了一种为高压脉冲氙灯而设计的预燃电路,电源采取开关电源方式供电,磁饱和方式降压,稳流。因此去掉了传统预燃电路中的工频升压变压器、限流电阻,整个电路的体积、重量明显减小,效率提高。实际运行表明,该电路工作可靠,运行稳定。 相似文献
996.
固体成像传感器包括可见光CCD,IRCCD,CMOS和红外焦平面阵列,其信号由光电二极管经注入栅沟道直接输入到转移级是基本的注入模式.本文总结了近30年来的发展成果,阐述了直接注入效率的理论和基本公式,得出在取样频率低的情况下,增大注入栅的跨导和光电二极管的阻抗是提高注入效率的最有效方法;在光电二极管低阻抗的情况下,采用电流镜像直接注入新设计,其注入栅的跨导可趋于无限大,因而可使注入效率接近100%.分析了电路的新设计方法,研制了64元线列InSb电流镜像直接注入电路.初步测试表明,注入效率与理论分析接近. 相似文献
997.
为了得到优化的扩散工艺,通过改变扩散时间来改变Ⅱ类单晶硅片电池发射区的掺杂浓度和结深,研究了扩散时间对太阳电池性能的影响。通过太阳电池单片测试仪(XJCM-9)测试电池性能。得到了实验条件下优化的扩散工艺,此工艺既考虑了短路电流,又兼顾到开路电压。最优扩散工艺参数为:扩散温度850℃,主扩时间和再分布时间分别为40 min和15 min。此时电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和转换效率分别为657 mV3、3.57 mA/cm2、74.36%和16.4%。优化扩散工艺制备的电池效率较原扩散工艺电池提高了约0.3%。 相似文献
998.
999.
1000.
<正> 我们通常见到的运算放大器电路,都是围绕电压输入一电压输出的常规型运放而设计的。而另一种类型的运放也常用于很多音频处理场合中,它采用电压输入→电流输出(跨导)形式工作,增益由外接控制端控制,这种器件称作跨导型运算放大器(OTA),NE5517就是一款这样的集成电路。图1为 OTA 的电路符号和工作时 相似文献